数字技术赋能信息化研学活动

教育数字化转型是党的二十大对教育工作提出的新要求。作为中小学生综合实践的重要内容,研学活动也必须跟上时代脚步,通过探秘现实世界与数字化世界相融合的研学活动,实现数字环境、数字资源、数字应用、数据资源的重建,促进研学活动的多样化开展;通过数字化转型,实现以解决问题为出发点,形成小组合作的协同知识的重建,促进学生个性化发展。

Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric

Positive bias temperature instability stress induced interface trap density in a buried InGaAs channel metaloxide-semiconductor field-effect transistor with a InCaP barrier layer and Al2O3 dielectric is investigated. Well behaved split C-V characteristics with small capacitance frequency dispersion are confirmed after the insertion of the InCaP barrier layer. The direct-current Id-Vg measurements show both degradations of positive gate voltage shift and sub-threshold swing in the sub-threshold region, and degradation of positive △Vg in the oncurrent region. The Id-Vg degradation during the positive bias temperature instability tests is mainly contributed by the generation of near interface acceptor traps under stress. Specifically, the stress induced aeceptor traps contain both permanent and recoverable traps. Compared with surface channel InCaAs devices, stress induced recoverable donor traps are negligible in the buried channel ones.

将STEAM教育理念与项目式学习模式有机结合

近年来,STEAM教育作为一种新颖且富有成效的教学方法,逐渐受到教育界的广泛瞩目。本文聚焦于小学科学教育领域,深入探讨了如何将STEAM教育理念与项目式学习模式有机结合,在促进学生全面发展、培育创新思维方面实现显著突破。通过细致剖析STEAM教育理念,发掘其更深层次的内涵,并结合小学科学教学的实际情况,本文设计了一套项目式学习方案,并通过实践验证了其有效性。

低温制备高质量六方氮化硼晶畴、薄膜及其在石墨烯基场效应晶体管中的应用（英文）

二维六方氮化硼是一种理想的石墨烯电学器件介电层材料,然而,制备低成本和高质量的氮化硼材料仍是一个挑战.本文使用等离子体化学气相沉积法, 500°C下在铜箔衬底上制备了三角形的BN晶畴及其薄膜.通过使用锡箔纸包裹原料的方法避免了残留原料在BN表面的沉积.当BN作为石墨烯场效应晶体管的介电层时,基于石墨烯的场效应器件空穴与电子的迁移率分别为10500和4750 cm2V^-1s^-1,明显优于在高温条件下制备的BN作为介电层的石墨烯器件,间接表明了该方法可得到高质量的BN.另外,本工作也揭示了氮化硼的质量对石墨烯场效应器件的性能至关重要.

寿县古城研学游

2021年2月2日,安徽省淮南市凤台县第二实验小学楚都研学团队开展了“你好,寿县古城”科技实践研学游活动。寿县古城墙始建于宋朝,明清时曾多次修葺,现在已经900多岁了。寿县古城有四座城门,东门称宾阳,南门为通淝,西门叫定湖,北门是靖淮。这座城池虽已历经近千年,但仍“宝刀未老”,至今依然发挥着余热,守护着这里的人们。