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适用于高功率可调谐光纤激光器的法布里-珀罗滤波器研究
被引量:
5
1
作者
苏立钦
沈永行
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期2351-2354,共4页
为满足高功率可调谐激光器的应用需求,研制了一种新型的法布里-珀罗(F-P)滤波器,由两个光纤准直器、一个腔长可调的短腔F-P腔和一个压电陶瓷(PZT)微位移器组成,F-P腔和PZT配合形成了一个可调谐的光滤波器。通过改变PZT上所加电压来控制...
为满足高功率可调谐激光器的应用需求,研制了一种新型的法布里-珀罗(F-P)滤波器,由两个光纤准直器、一个腔长可调的短腔F-P腔和一个压电陶瓷(PZT)微位移器组成,F-P腔和PZT配合形成了一个可调谐的光滤波器。通过改变PZT上所加电压来控制F-P腔的腔长,该滤波器得到了接近50 nm宽的调谐范围,精细度达到134。利用所制作的F-P滤波器,使用Yb3+掺杂光纤作为增益介质,构建了一台可调谐的环形光纤激光器,取得调谐范围为32.5 nm的可调谐激光输出,波长为1032.82~1065.32 nm。激光器最大输出功率为2.72 mW,线宽为0.078 nm。
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关键词
激光器
光纤激光器
可调谐法布里-珀罗滤波器
可调谐激光器
法布里-珀罗腔
原文传递
光谱特征关联性分析用于研究CVD生长的单层二硫化钨非均匀性机制
2
作者
苏立钦
余一飞
+1 位作者
曹林友
张勇
《Science China Materials》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2023年第10期3949-3957,共9页
化学气相沉积(CVD)已被证明是生产二维材料(包括二硫化钨(WS_(2)))最有效的方法.然而,CVD生长的WS_(2)单层中存在的应变、掺杂和缺陷的不均匀性会显著影响材料的光学和电子特性,从而影响其器件应用.在本研究中,我们通过CVD方法在蓝宝石...
化学气相沉积(CVD)已被证明是生产二维材料(包括二硫化钨(WS_(2)))最有效的方法.然而,CVD生长的WS_(2)单层中存在的应变、掺杂和缺陷的不均匀性会显著影响材料的光学和电子特性,从而影响其器件应用.在本研究中,我们通过CVD方法在蓝宝石衬底上生长了介观尺寸的三角形单层WS_(2),并利用空间分辨的显微拉曼和光致发光(PL)光谱技术系统地表征了单层WS_(2)中的应变、掺杂和非辐射缺陷中心的不均匀性.我们从全域(整个单层WS_(2)三角形)和分区域(如顶点、边缘、中心)两个维度对其拉曼和PL光谱的相关参数(即峰值位置、强度和半峰宽)随位置的变化进行了相关性分析,发现单层WS_(2)三角形的不同区域往往表现出明显不同的应变、掺杂和缺陷状态.这项研究揭示并解释了单层WS_(2)应变、掺杂和缺陷的不均匀性.此外,我们发现当介观尺寸的三角形结构扩展到连续薄膜时,不均匀性大大降低.我们的工作表明,对光谱特征的相关性分析并辅以对物理机制的了解有助于全面理解材料生长带来的不均匀性,并为优化二维材料的生长过程和器件加工提供指导.
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关键词
tungsten
disulfide
Raman
spectroscopy
PHOTOLUMINESCENCE
chemical
vapor
deposition
原文传递
题名
适用于高功率可调谐光纤激光器的法布里-珀罗滤波器研究
被引量:
5
1
作者
苏立钦
沈永行
机构
浙江大学光电系现代光学仪器国家重点实验室
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期2351-2354,共4页
基金
浙江省重大科技专项(2008C01052-4)资助课题
文摘
为满足高功率可调谐激光器的应用需求,研制了一种新型的法布里-珀罗(F-P)滤波器,由两个光纤准直器、一个腔长可调的短腔F-P腔和一个压电陶瓷(PZT)微位移器组成,F-P腔和PZT配合形成了一个可调谐的光滤波器。通过改变PZT上所加电压来控制F-P腔的腔长,该滤波器得到了接近50 nm宽的调谐范围,精细度达到134。利用所制作的F-P滤波器,使用Yb3+掺杂光纤作为增益介质,构建了一台可调谐的环形光纤激光器,取得调谐范围为32.5 nm的可调谐激光输出,波长为1032.82~1065.32 nm。激光器最大输出功率为2.72 mW,线宽为0.078 nm。
关键词
激光器
光纤激光器
可调谐法布里-珀罗滤波器
可调谐激光器
法布里-珀罗腔
Keywords
lasers
fiber laser
tunable Fabry-Perot filter
tunable laser
Fabry-Perot cavity
分类号
TN248.1 [电子电信—物理电子学]
TN713 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
光谱特征关联性分析用于研究CVD生长的单层二硫化钨非均匀性机制
2
作者
苏立钦
余一飞
曹林友
张勇
机构
College of Optical and Electronic Technology
Department of Electrical and Computer Engineering
Department of Materials Science and Engineering
出处
《Science China Materials》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2023年第10期3949-3957,共9页
基金
support of the Natural Science Foundation of Zhejiang Province(LQ21A050004)
the support of the Bissell Distinguished Professorship。
文摘
化学气相沉积(CVD)已被证明是生产二维材料(包括二硫化钨(WS_(2)))最有效的方法.然而,CVD生长的WS_(2)单层中存在的应变、掺杂和缺陷的不均匀性会显著影响材料的光学和电子特性,从而影响其器件应用.在本研究中,我们通过CVD方法在蓝宝石衬底上生长了介观尺寸的三角形单层WS_(2),并利用空间分辨的显微拉曼和光致发光(PL)光谱技术系统地表征了单层WS_(2)中的应变、掺杂和非辐射缺陷中心的不均匀性.我们从全域(整个单层WS_(2)三角形)和分区域(如顶点、边缘、中心)两个维度对其拉曼和PL光谱的相关参数(即峰值位置、强度和半峰宽)随位置的变化进行了相关性分析,发现单层WS_(2)三角形的不同区域往往表现出明显不同的应变、掺杂和缺陷状态.这项研究揭示并解释了单层WS_(2)应变、掺杂和缺陷的不均匀性.此外,我们发现当介观尺寸的三角形结构扩展到连续薄膜时,不均匀性大大降低.我们的工作表明,对光谱特征的相关性分析并辅以对物理机制的了解有助于全面理解材料生长带来的不均匀性,并为优化二维材料的生长过程和器件加工提供指导.
关键词
tungsten
disulfide
Raman
spectroscopy
PHOTOLUMINESCENCE
chemical
vapor
deposition
分类号
TQ136.13 [化学工程—无机化工]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
适用于高功率可调谐光纤激光器的法布里-珀罗滤波器研究
苏立钦
沈永行
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
5
原文传递
2
光谱特征关联性分析用于研究CVD生长的单层二硫化钨非均匀性机制
苏立钦
余一飞
曹林友
张勇
《Science China Materials》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2023
0
原文传递
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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