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基于RESURF理论的SOI LDMOS耐压模型研究(英文)
被引量:
2
1
作者
苗田乐
李文钧
+4 位作者
王皇
郑伟
申屠旭丹
刘军
孙玲玲
《电子器件》
CAS
2011年第1期17-20,共4页
对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sen-taurus TCAD)中,并...
对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sen-taurus TCAD)中,并对SOI LDMOS器件的表面电场分布、击穿特性和I-V特性进行了仿真,得到的仿真结果验证了模型可以精确的表征SOI LDMOS器件的耐压。
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关键词
SOI
LDMOS
模型
RESURF
TCAD
下载PDF
职称材料
基于SOI工艺的高可靠有源像素研究
2
作者
田犁
苗田乐
+1 位作者
危峻
汪辉
《电子器件》
CAS
北大核心
2013年第6期769-773,共5页
基于SOI衬底材料提出了一种新型的CMOS图像传感器有源像素结构,建立了与之相对应的二维器件仿真模型,利用Sentaurus Device仿真工具对该结构的单粒子效应(Single-Event Effects)进行了模拟仿真研究。仿真结果显示在像素周围引入P+重掺...
基于SOI衬底材料提出了一种新型的CMOS图像传感器有源像素结构,建立了与之相对应的二维器件仿真模型,利用Sentaurus Device仿真工具对该结构的单粒子效应(Single-Event Effects)进行了模拟仿真研究。仿真结果显示在像素周围引入P+重掺杂保护层能够有效隔离像素使受辐射像素相邻像素收集到的噪声电子数减小,证明此像素结构具有一定的抗单粒子辐照性能。
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关键词
微电子学与固体电子学
有源像素
P+重掺杂保护层
单粒子效应
电荷分享
下载PDF
职称材料
题名
基于RESURF理论的SOI LDMOS耐压模型研究(英文)
被引量:
2
1
作者
苗田乐
李文钧
王皇
郑伟
申屠旭丹
刘军
孙玲玲
机构
杭州电子科技大学微电子CAD研究所
出处
《电子器件》
CAS
2011年第1期17-20,共4页
基金
国家自然科学基金资助(60806011)
文摘
对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sen-taurus TCAD)中,并对SOI LDMOS器件的表面电场分布、击穿特性和I-V特性进行了仿真,得到的仿真结果验证了模型可以精确的表征SOI LDMOS器件的耐压。
关键词
SOI
LDMOS
模型
RESURF
TCAD
Keywords
SOI LDMOS
MODEL
RESURF
TCAD
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于SOI工艺的高可靠有源像素研究
2
作者
田犁
苗田乐
危峻
汪辉
机构
中国科学院上海技术物理研究所
中国科学院上海高等研究院
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2013年第6期769-773,共5页
基金
国家科技重大专项02专项项目(2011ZX02505)
文摘
基于SOI衬底材料提出了一种新型的CMOS图像传感器有源像素结构,建立了与之相对应的二维器件仿真模型,利用Sentaurus Device仿真工具对该结构的单粒子效应(Single-Event Effects)进行了模拟仿真研究。仿真结果显示在像素周围引入P+重掺杂保护层能够有效隔离像素使受辐射像素相邻像素收集到的噪声电子数减小,证明此像素结构具有一定的抗单粒子辐照性能。
关键词
微电子学与固体电子学
有源像素
P+重掺杂保护层
单粒子效应
电荷分享
Keywords
microelectronics and solid-state electronics
active photo diode
P+heavily doped area
single particleeffect
charge sharing
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
基于RESURF理论的SOI LDMOS耐压模型研究(英文)
苗田乐
李文钧
王皇
郑伟
申屠旭丹
刘军
孙玲玲
《电子器件》
CAS
2011
2
下载PDF
职称材料
2
基于SOI工艺的高可靠有源像素研究
田犁
苗田乐
危峻
汪辉
《电子器件》
CAS
北大核心
2013
0
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职称材料
已选择
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引证文献
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