近化学计量比LiNbO_3晶体的坩埚下降法生长

报道了化学计量比LiNbO3(stoichiometriclithiumniobate ,SLN)晶体的坩埚下降法生长。采用一致融熔成分铌酸锂籽晶 ,以K2 O为助熔剂 ,在自制的坩埚下降炉内生长SLN晶体。最高炉温控制在 13 0 0℃附近 ,固液界面处的纵向温度梯度为 40～ 60℃ /cm ,坩埚下降速率小于5mm/d ,在密闭的铂坩埚中 ,成功地生长出尺寸为2 5mm× 40mm的近化学计量比铌酸锂单晶。测得晶体的Curie温度为 190℃ ,利用有关公式计算出所得晶体的n(Li) /n(Li+Nb)为 0 .495 6,研究了熔体的析晶行为及晶体的宏观缺陷。

声表面波用压电晶体的新进展(英文)

报道了我们在Li2 B4O7、Sr3 Ga2 Ge4O14 、LiNbO3 、LiTaO3 等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展。采用改进型坩埚下降法成功生长了直径 3～ 4英寸的Li2 B4O7晶体 ,并实现了批量生产。作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一 ,Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体具有最大的压电系数。报道了直径 2英寸Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体的生长结果 ,测试了该晶体的压电性能。在CO2 (90 % )、H2 (10 % )混合气氛中 ,分别在 70 0℃和 4 5 0℃下对LN和LT晶片进行化学还原处理 ,成功制备了 3英寸LN和LT低静电黑片 ,不仅减少了器件制作工序 ,而且使成品率提高了 5～ 8百分点。此外 ,在密封坩埚中生长了低静电LiNbO3 晶体 ,观察到一些新的现象。

掺Li的SrB_4O_7的晶体结构和微结构的X射线粉末衍射研究

掺Li对SrB4O7的性能有一定的影响.本工作用X射线粉末衍射结构分析方法研究了掺Li的SrB4O7的晶体结构和微结构.空间群为Pmn21，晶胞参数为a=10.741（5）Ab=4.245（1）A，c＝4.437（1）A;掺杂的SrB4O7晶胞参数较纯SrB4O7的略有增大;阐述了产生这种变化的原因.在该晶体结构中，Li进入SrB4O7晶格空隙，成为间隙离子;这种结构有利于提高晶体的非线性光学系数.文中还比较了文献中SrB4O7的晶体结构数据，分析了其中存在的问题.

新型压电晶体Li_2B_4O_7的性能、生长和应用

本文详细介绍了我们在Li2B4O7晶体增润下降法生长方面的研究进展，报道了φ3″、φ4″无芯区、无孪晶、无云层、无开裂和无散射的Li2B4O7晶体的生长条件与缺陷消除，包括高纯原料的制备与成型、缓慢的生长速率、微凸和平的固液界面形状和适当的自退火工序．同时还简要介绍了该晶体的基本性能，综述了近年来的研究进展以及该晶体在SAW器件方面的应用．

Li_2B_4O_7单晶的加速坩埚旋转Bridgman生长

本文的工作首次应用加速坩埚旋转(ACRT)的 Bridgman(BR)方法生长了 Li_2B_4O_7(LBO)晶体,获得直径为52mm,长为60mm 的宏观完整单晶。ACRT 将 LBO 晶体生长速度提高到 BR 生长速度的1.5～2倍。并增强了生长系统抵御熔体中温度波动的能力。与 BR^(?) 生长的固液界面相比,ACRT 所产生的强迫对流没有对固液界面的形状产生明显的影响。本工作还对实际坩埚内的液流进行了模拟观察。