红宝石晶体光学浮区法生长及其缺陷研究

采用光学浮区法生长了Φ7 mm×70 mm的红宝石晶体。晶体的生长界面为凸界面,生长方向为<001>方向。X射线双晶摇摆曲线表明晶体具有良好的质量。研究了生长温度、旋转速率、生长速率对晶体质量的影响,确定了合理的工艺条件。通过扫描电镜、能量散射光谱仪、X射线衍射、化学腐蚀结合偏光显微镜对红宝石晶体中气泡、位错、胞状组织和溶质尾迹等缺陷进行了分析。

MnO_2掺杂对Sr_(1.95)Ca_(0.05)NaNb_5O_(15)无铅压电陶瓷微观结构及电学性能的影响

采用固相反应法制备了MnO2掺杂Sr1.95Ca0.05NaNb5O15+ywt%MnO2(SCNNM)无铅压电陶瓷。研究了MnO2掺杂对SCNNM陶瓷显微结构及电学性能的影响。结果表明:当y≤0.7时,SCNNM陶瓷为单一的四方钨青铜结构,当y≥1.0时有第二相生成;少量MnO2掺杂能有效降低烧结温度,促进晶粒长大,显著提高SCNNM陶瓷的介电、压电性能,降低矫顽场和居里温度,当y>0.7时,陶瓷烧结恶化,性能降低。当y=0.5时,SCNNM陶瓷具有较好的介电、压电和铁电性能:介电系数εr=2123,介电损耗tanδ=0.038,平面伸缩振动机电耦合系数Kp=13.4%,厚度伸缩振动机电耦合系数Kt=36.5%,矫顽场Ec=12.68 kV/cm,剩余极化强度Pr=4.76μC/cm2,压电系数d33=190 pC/N,机械品质引因数Qm=1455,居里温度Tc=260oC。

锰掺杂Sr_(2-x)Ca_xNaNb_5O_(15)(x=0.05～0.35)无铅压电陶瓷微观结构与电学性能的研究

采用传统陶瓷制备工艺制备了Mn掺杂的钨青铜结构无铅压电陶瓷Sr2-xCaxNaNb5O15+ywt%MnO2(x=0.05～0.35,y=0,0.3,0.5)(SCNN-M),并对SCNN-M陶瓷相组成、微观结构及介电、压电、铁电性能进行了研究.分析表明:Ca2+已进入Sr2NaNb5O15晶格之中形成固溶体;掺杂适量的锰,能够得到致密、单一的钨青铜结构陶瓷,有效降低烧结温度,促进晶粒长大,显著提高陶瓷的介电、压电、铁电性能.当x=0.05,添加0.5wt%的MnO2时,陶瓷具有较好的介电、压电和铁电性能:介电常数εr=2123,介电损耗tanδ=0.038,压电系数d33=190pC/N,机械品质因数Qm=1455,平面伸缩振动机电耦合系数Kp=13.4%,厚度伸缩振动机电耦合系数Kt=36.5%,剩余极化强度Pr=4.76μC/cm2,自发极化强度Ps=9.36μC/cm2,矫顽场Ec=12.68kV/cm,居里温度Tc=260℃.

A:Al_2O_3(A=Cr,Fe,Ni)晶体生长及其缺陷研究

报道了A：Al2O3（A=Cr,Fe,Ni）晶体光学浮区法生长工艺,研究了旋转速率、生长速率对晶体质量的影响,制备出了φ6-8 mm、长度为60-80 mm的A：Al2O3晶体.A：Al2O3晶体的生长方向为〈001〉方向,X射线双晶摇摆曲线表明A：Al2O3晶体具有良好的晶体质量.通过X射线衍射、扫描电镜、偏光显微镜对晶体中的生长缺陷进行了研究,结果表明,A：Al2O3晶体的主要缺陷为小角度晶界、包裹体和溶质尾迹.研究了A：Al2O3晶体的光谱性能,并对A：Al2O3晶体的介电性能进行了测量,室温下1000 kHz时A：Al2O3晶体表现出较高的介电系数εr（12.1-15.7）和较小的介电损耗tanδ（0.0020-0.0002）.

二步烧结法制备SCNN陶瓷及其性能

在传统工艺设备制备的基础上,运用二步烧结法制备出钨青铜结构压电陶瓷Sr2-xCaxNaNb5O15(SCNN),通过对x=0.05～0.30的陶瓷研究,获得了具有较高压电系数(80pC/N)和介电常数(>1600)的SCNN陶瓷.X线衍射实验及扫描电镜实验的结果表明,该陶瓷具有极高的致密性.

浅谈作文教学途径的变革

中学作文教育是基础教育的一部分，其教学目标是为了使学生在中学阶段能够打好扎实的基本功，适应素质教育的发展，但在日常教学中，却发现作文教学是整个语文教学中最纠结的问题之一。无论是教师的“教”，还是学生的“学”，都存有或多或少的问题。这种现象在农村作文教学中尤为突出，“痛定思痛”，我认为农村作文教学须进行必要的变革，只有变革．或许能找到通往“罗马”的道路。