利用表面模板调控低维有机纳米材料的拓扑结构（英文）

"自下而上"的纳米结构制备法是一种在原子或分子水平上构筑纳米结构的方法;相比于"自上而下"的蚀刻技术,其可实现更小尺寸的半导体器件的制备。因此,这种"自下而上"制备法将是纳米技术未来的重要发展方向。然而,其中一个存在已久的关键问题是如何实现对所构筑的纳米拓扑结构进行精确控制。此文综述了近期关于如何调控由表面乌尔曼反应合成的纳米材料拓扑结构的研究。其中包括以下三个方面:首先,利用纳米结构与衬底晶格参数之间的匹配关系控制金属有机链的形状;其次,利用超栅格或者超分子模板对长链进行有效剪裁;最后,利用纳米结构与衬底之间对称性的匹配来调控环状和链状产物的形成。另外,我们对寻求普适性模板以调控更广泛类型的纳米材料的拓扑结构进行了展望。

F8BT薄膜表面形貌及与Al形成界面的电子结构和反应

基于共轭聚合物光电器件的性能与聚合物的表面形貌、分子取向、以及与金属电极形成的界面结构密切相关.本文利用原子力显微镜(AFM)、同步辐射光电子能谱(SRPES)和近边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等,研究了聚(9,9-二辛基芴并苯噻二唑)(F8BT)薄膜的表面形貌、分子取向及其与Al电极形成界面过程的结构变化.结果表明,在略低于F8BT玻璃转变温度(Tg=130℃)条件下对F8BT薄膜进行退火,可明显增加薄膜的表面粗糙度,薄膜中F8BT的分子取向角约为49,9,9-二辛基芴单元(F8)与苯噻唑单元(BT)几乎在同一平面.在Al/F8BT界面形成过程中,Al与F8BT中的C,N和S均发生不同程度的化学反应,并导致价带结构和未占据分子轨道(LUMO)态密度的变化.Al对F8BT进行n型掺杂引起F8BT能带弯曲的同时,未占据能级被部分占据,更多的电子将被注入到LUMO+1中.通过考察价带电子结构、芯能级位移及二次截止边的变化,绘制了清晰的Al/F8BT界面能级图.