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氮化镓电源芯片的TF参数测试与可靠性评估 被引量：1
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作者 齐建玲 刘华宇 范凤欢 《北华航天工业学院学报》 CAS 2023年第5期1-3,共3页
本文详细介绍了氮化镓(GaN)电源芯片漏极下降时间(TF)参数的测试电路和老炼试验电路设计。以纳微(Navitas)半导体公司生产的NV6117电源芯片为例,通过对比NV6117电源芯片老炼试验前后TF参数的变化,对氮化镓电源芯片的可靠性水平进行量化... 本文详细介绍了氮化镓(GaN)电源芯片漏极下降时间(TF)参数的测试电路和老炼试验电路设计。以纳微(Navitas)半导体公司生产的NV6117电源芯片为例,通过对比NV6117电源芯片老炼试验前后TF参数的变化,对氮化镓电源芯片的可靠性水平进行量化评估,保证了应用电路的可靠性。 展开更多
关键词 GaN电源芯片 可靠性评估 时间参数测试 NV6117
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