-
题名典型工艺缺陷对光波导特性的影响研究
被引量:1
- 1
-
-
作者
范哲珲
王健
-
机构
北京交通大学理学院发光与光信息技术教育部重点实验室
北京交通大学理学院光信息科学与技术研究所
-
出处
《光电技术应用》
2015年第6期26-30,共5页
-
基金
国家自然科学基金(61275075)
北京市自然科学基金(4132035)资助课题
-
文摘
针对半导体光波导实际制作过程中出现的典型工艺缺陷,基于有限元法提出了有效的分析方法。首次计算了真实光场入射情况下,缺陷存在时波导内部的光场,并分析了缺陷位置、大小、缺陷类型和入射光波长对半导体光波导损耗和模式耦合的影响。分析结果表明,波导传输损耗随缺陷大小和光波长振荡变化;折射率较大的缺陷,振荡频率较高;缺陷从芯区中心移向边缘时,传输损耗随波导结构尺寸振荡变化,变为单调增大。损耗能量一部分形成辐射模进入衬底,另一部分耦合成高阶模。缺陷明显增加半导体光波导损耗,改变波导传输模式,显著劣化集成光路性能。
-
关键词
半导体光波导
工艺缺陷
有限元法
传输模式分析
-
Keywords
semiconductor optical waveguide
process defect
finite element method
propagation mode analyzing
-
分类号
TN25
[电子电信—物理电子学]
-