La_(0.67)Ca_(0.33)CoO_3的结构和磁电阻效应研究

采用溶胶凝胶法制备了La0.67Ca0.33CoO3样品,利用X射线衍射和磁电阻测量,对样品进行了结构和磁电阻效应的研究。结构研究表明样品呈现十分优异的单相性。电阻测量表明在H=0 T和H=0.3 T的磁场下,样品电阻值都随着温度的降低急剧增大。样品在H=0.3 T的磁场下在T<20 K时,呈现正的磁电阻效应,最高达21%,在20 K<T<300 K,样品呈现负的磁电阻效应并在T=30 K附近达到11%。对于这一磁电阻效应我们基于热无序和磁性对双交换作用的影响进行了解释。

Nd∶YAG连续激光诱导下硅中钛过饱和掺杂研究

为了在硅中掺入过饱和的过渡金属杂质,采用自行设计的线形大功率Nd∶YAG激光辐照表面溅射钛的硅片,对辐照后样品进行了俄歇电子能谱测试,利用2维热力学模型,对连续激光扫描的过程进行了热力学模拟。结果表明,硅中的钛掺杂浓度远高于钛在硅中的固溶度,钛的最高浓度在表面下方一定距离处;硅片中的最高温度并不在硅的表面,温度分布导致了钛的分布不在表面;模拟结果与实验结果吻合得较好。线形连续激光能够通过对材料表面扫描辐照的方式进行加工,实现过饱和掺杂。

钙钛矿结构材料的制备方法研究

介绍了巨磁电阻效应的发展现状,主要研究了有关钙钛矿结构L1-yCyMnO3(L=a3+,Pr3+,Nd3+等稀土离子;C=Ca2+,Sr2+,Ba2+等二价碱土金属离子)体系的制备方法及其特点,并对各种方法制备的样品特性进行了比较。对材料研究目的的不同,需要不同特性的样品,本研究可以对制备方法的选择提供一个参考。

La_(0.67)Ca_(0.33)CoO_3的高场磁电阻效应研究

采用溶胶凝胶法制备了La0.67Ca0.33CoO3样品,利用物性测量系统(PPMS)对样品的磁电阻进行了测量,研究了样品在磁场下的磁电阻效应。电阻(R)测量表明在H=OT和H=9T的磁场下,在4K<T<300K的温度范围内,样品的电阻和磁电阻都随着温度的降低而升高,磁电阻最高达60%。从温度对eg电子的影响的角度进行了解释。

纳米颗粒Zn_xFe_(3-x)O_4的EXAFS研究

采用化学共沉淀法制备一系列纳米颗粒的锌铁氧体ZnxFe3-xO4(x=0,1/6,1/3,1/2,2/3)。用振动样品磁强计测量,随着掺锌量的增大,样品的饱和磁化强度先增大后减小。利用扩展的x射线吸收精细结构实验技术对阳离子的占位问题进行研究,实验结果表明大部分的锌原子占据四面体位,只有少量的锌原子占据在八面体位,并且从阳离子的占位这一角度解释了样品的磁性变化。

La_(0.8)Sr_(0.2)Co_(1-x)Fe_xO_3结构特征的研究

采用溶胶—凝胶(sol—gel)法制备固体氧化燃料电池(SOFC)阴极材料La0.8Sr0.2Co1-xFexO3(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4),从结构特征进行了研究。利用XRD研究发现,晶格常数a基本保持不变,晶格常数c先减小后增大,这主要和样品中氧的非化学计量比和制备方法有关;根据谢乐公式l=-0.89/λd(2θ)cosθ,随着Fe含量的增加,晶粒尺寸在不断的减小。

烷胺基结构对钙钛矿材料光电性能及稳定性的影响

以不同烷烃链长和胺基数的有机物为原料,采用溶液法合成系列具有不同烷胺基结构的钙钛矿材料,研究烷胺基结构对钙钛矿材料光电性能和稳定性的影响;以二氨基丙胺铅碘(CH2)3(NH3)2Pb I4为光吸收层制备钙钛矿太阳电池,探索钙钛矿材料在光伏领域的应用。结果表明:烷烃链长和胺基数均直接影响钙钛矿材料的带隙宽度,随着烷烃链的增长带隙变大,随着胺基数的增加带隙急剧变小;由1,3-二氨基丙烷为前驱物合成的(CH2)3(NH3)2Pb I4钙钛矿材料光吸收边位置达930 nm,并显现出良好的湿度稳定性;以(CH2)3(NH3)2Pb I4钙钛矿材料为光吸收层的太阳电池,其开路电压可达0.718 V。通过调控烷胺基结构可制备出光电性能可调、稳定性高的光伏材料。

Supersaturating Silicon with Titanium by Continuous-Wave Laser Irradiation of Sputtered Titanium Film on Silicon

A method of magnetron sputtering followed by continuous-wave （cw） laser irradiation is developed to prepare crystalline silicon supersaturated with titanium. The irradiation of single crystalline Si samples sputtered with a thin layer of Ti is carried out under the 1064nm ew laser in a specially designed home-made facility. The thickness of the Si layer, within which the concentration of Ti surpasses the Mott limit, reaches 365 nm and the maximum concentration of Ti reaches 1.83 × 1021 cm-3. The crystalline structure of the Si samples is kept unchanged after cw laser irradiation. These results show that the current method can be an emcient way to obtain an intermediate band semiconductor material for solar cells.

CuGaO_2空穴传输层的钙钛矿太阳电池的数值模拟

采用SCAPS-1D电池模拟软件,对以CuGaO_2作为空穴传输层的平面异质结钙钛矿太阳电池进行数值模拟,模拟的电池结构为FTO/TiO_2/CH_3NH_3PbI_3/CuGaO_2/Au.分析了钙钛矿吸收层厚度、缺陷态浓度、CH_3NH_3PbI_3/CuGaO_2和TiO_2/CH_3NH_3PbI_3界面缺陷浓度对电池光电性能的影响,并且通过模拟优化得到CuGaO_2为空穴传输层的钙钛矿电池的最佳I-U特性为:U_(oc)=1.14V,J_(sc)=23.84 mA/cm^2,FF=85.95%,PCE=23.42%.