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用PECVD方法在GaAs衬底上制备WxSi1—x薄膜
1
作者
范小宝
王永发
《薄膜科学与技术》
1990年第2期25-31,共7页
关键词
PECVD法
硅化钨
薄膜
GAAS
衬底
下载PDF
职称材料
评《相图的边界理论及其应用》
2
作者
范小宝
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第19期1957-1957,共1页
关键词
化学
学术研究成果
科学出版社
理论
专著
教授
边界
相图
结晶
原文传递
题名
用PECVD方法在GaAs衬底上制备WxSi1—x薄膜
1
作者
范小宝
王永发
出处
《薄膜科学与技术》
1990年第2期25-31,共7页
关键词
PECVD法
硅化钨
薄膜
GAAS
衬底
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
评《相图的边界理论及其应用》
2
作者
范小宝
机构
加拿大TEKNA等离子体系统公司
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第19期1957-1957,共1页
关键词
化学
学术研究成果
科学出版社
理论
专著
教授
边界
相图
结晶
分类号
O414.1 [理学—理论物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
用PECVD方法在GaAs衬底上制备WxSi1—x薄膜
范小宝
王永发
《薄膜科学与技术》
1990
0
下载PDF
职称材料
2
评《相图的边界理论及其应用》
范小宝
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
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