含红外发散的集团自旋玻璃体系的超声吸收

本文将红外发散响应理论应用到集团自旋玻璃体系中磁集团取向变化弛豫过程,研究自旋玻璃体系(COF_7)_(0.5)(BaF_2)_(0.2)(NaPO_3)_(0.3)的低温超声吸收特性。结果表明T<4.0K时,超声吸收的磁贡献部分主要来自于磁集团的集体转向弛豫过程;T>4.0K时,超声吸收的磁贡献部分是集团集体转向过程和集团内部贡献的迭加。

电子多声子作用对能带电子有效质量的影响

本文考虑声子的动力学过程,用格林函数方法导出了T《德拜温度T_D时,电子多声子作用对能带电子有效质量的修正公式。指出电子多声子过程中高频声子有重要作用。

Sb吸附在GaAs(110)(1×1)-Sb(1ML)表面上的电子态特性

采用紧束缚的ｓｐ３ｓ模型描述体电子态，用散射理论的格林函数方法研究了Ｓｂ吸附在ＧａＡｓ（１１０）表面上的电子特性．计算结果表明：在－１２ｅＶ—＋２ｅＶ的能区内有９个表面态存在，对于这样的金属／半导体系统仍有带隙存在，其带隙宽度为０．４ｅＶ左右；体系的性质表现为半导体的性质。

原子位置驰豫对ZnS(110)表面电子结构的影响

用总能量最小方法，确定了ＺｎＳ（１１０）表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果．利用格林函数的散射理论方法，计算了ＺｎＳ（１１０）表面的电子结构．在此基础上，讨论了晶格弛豫对表面电子特性的影响．

Ni,Pd和Pt的表面应力

半经验的修正嵌入原子方法用于Ｎｉ，Ｐｄ和Ｐｔ的低指数面的表面应力计算，得到了与第一原理计算相符合的结果．给出了（１１０）表面［１１０］方向的应力是［００１］方向应力的两倍左右；阐明了应力各向异性是所有ｆｃ金属（１１０）面的一般特性．预言了Ｐｄ和Ｐｔ（１００）的表面应力的大小．

多声子强耦合超导理论

本文提出了多声子过程的强耦合超导理论,给出了能隙方程和T_c公式。结果发现,考虑电子多声子过程,高频声子对提高T_c有重要作用,单胞中对超导贡献的简并度数大,也有利于高T_c的出现。

硅中三空位V_3^-的超精细相互作用的理论计算

利用Koster-Slater的格林函数方法,计算了硅中三空位v_3^- 的电子态能级和波函数.结果表明,v_X^-在禁带中有五条能级:E_A_2=0.417eV,E_B_1=0.492eV,E凡一0·512ev,民一O.532eV,EB_2~2=0.608eV.根据算得的超精细相互作用常数同实验值的比较,定出v_3^-处于B_1态.V_3^-的B_1态点据第1壳层的几率为60.2％,但主要集中在三空位所确定的平面内的二个原子上.

H,O原子在过渡金属表面吸附能的规则性

用Allan~[1]的简化d带模型描叙过渡金属的表面电子态,用广义相移法计算吸附原子在表面的吸附能,结果表明,不仅很好地描绘了H,O在一个周期的过渡金属表面吸附能的变化趋势,而且所算得的吸附原子感应的分离能级也同紫外光发射谱的实验符合得很好;同时还指出,简单气体在过渡金属表面的吸附能呈现规则性变化主要决定于费密能级E_F与吸附原子的有效能级8_a之差(E_F--8_a),其次是转移矩阵元v和能带宽度w_b。

fcc结构过渡金属(100)表面上杂质与吸附原子的相互作用

用Allan的晶体表面模型,导出了紧束缚固体fcc(100)表面格林函数的解析表达式。用格林函数方法,讨论了fcc(100)表面上原子的化学吸附能以及替代杂质与吸附原子相互作用的一般性质。定性地预言了Ni,Pd,Pt(100)表面上过渡金属杂质对吸附H,O影响的趋势。

硅中Jahn-Teller畸变的双空位超精细相互作用的理论计算

采用扩展的Koster-Slate模型,分别对硅中双空位的两种重要的Jahn-Teller畸变模,计算了缺陷电荷态V_2^+,v_2^-中未配对电子的超精细相互作用常数a和b,给出与实验符合得很好的结果.由此还定出与实验相符合的能级和对称态:v_2^+的未配对电子处于能级约为0.3eV的Ag对称态;而V_2^-的电子处于能级约为0.63eV的Bu态;EG1模可能是v_2^+和v_2^-的最优选的畸变.

CdTe(110)弛豫表面电子态的计算

利用形式散射理论，采用次近邻的紧束缚模型计算了ＣｄＴｅ（１１０）弛豫表面的电子结构，给出了总体、局域及分波态密度，并给出了表面能带．所得到的结果与实验和第一原理计算结果符合得很好．通过分析表面态的变化，指出表面发生弛豫的原因主要是阴阳离子的ｐ态电子的相互作用加强所致．

ZnTe(110)表面电子态及其弛豫对表面电子态的影响

给出了ⅡⅥ族半导体化合物ＺｎＴｅ（１１０）表面电子特性的理论研究．考虑最近邻的ｓｐ３ｓ模型描述体态电子结构，使用散射理论方法，给出了理想和弛豫ＺｎＴｅ（１１０）表面的波矢分辨的电子态密度和表面投影带结构．结果表明：弛豫的ＺｎＴｅ（１１０）表面在带隙中没有表面态存在．在价带中的表面态及表面共振态和其他弛豫的ⅢⅤ族及ⅡⅥ族半导体的（１１０）表面具有相似的特征．与实验结果及第一性原理的自洽赝势计算结果相比。

ZnS(110)表面原子几何与电子特性的计算

用总能量最小方法，确定了ＺｎＳ（１１０）表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果．利用格林函数的散射理论方法，计算了ＺｎＳ（１１０）表面的电子结构，与第一性原理的计算结果进行了比较．讨论了晶格弛豫对表面电子特性的影响．

Al表面的多层弛豫——修正嵌入原子势的应用

利用修正的嵌入原子方法计算了Ａｌ低指数面（１００），（１１０），（１１１）和高指数面（２１０），（２１１），（３１０），（３１１），（３３１）的多层弛豫，所得到的结果都与实验及第一原理计算结果符合得很好．尤其是这种半经验方法给出了与实验结果相符的Ａｌ（１００）和（１１１）表面最外层向外膨胀的理论结果，并提出这种膨胀主要是由于最外层与第二层的键中ｓ态电子增加而ｐ态电子减少引起的．

硅中四空位扩展的Koster-Slater模型

本文用扩展的Koster-Slater模型计算了硅中V_4^-未配对电子的对称化波函数,用算得的波函数计算了缺陷电子局域在最近邻每个原子上的η~2及其s特征α~2,和超精细相互作用常数,确定V_4^-处于深能级为0.78eV的A_1对称态,给出与现有实验值相符合的结果。并指出,V_4^-的单个悬挂键上的η~2比其它具有单个悬挂键的缺陷小,是由于V_4^-的势分布向一侧有较大偏重所致。

散射理论方法应用于重构的β－SiC（100）表面

用Ｐｏｌｍａｎｎ散射理论方法分别计算了理想的和（２×１）重构的βＳｉＣ（１００）表面带结构以及层和原子轨道态密度．结果表明，重构的主要影响发生在禁区内，重构的Ｓｉ和Ｃ截断表面都具有半导体性，并且得到的表面带与实验相符．

硅中Jahn-Teller畸变的磷-空位复合缺陷的电子结构

本文采用扩展的缺陷势,利用一个紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,确定了磷-空位缺陷的波函数为深能级E的函数,以深能级的实验值为输入参数,得到的波函数定量地描述了EPR和ENDOR实验资料,特别是,理论给出空位的四个近邻原子上的超精细相互作用常数α和b,同实验符合得很好。

电子多声子作用对散射时间的效应

本文给出电子多声子作用对电子寿命影响的一般讨论方法,同时给出温度T德拜温度T_D的表达式,指出YBaCuO体系中电子多声子作用对高温超导性可能是重要的。

Si中B-空位复合缺陷的电子结构

本文对Si中B-空位(BV)缺陷的电子结构,提出一个“五个空杂化轨道”的简化理论模型。用紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,算得的空位最近邻原子的超精细相互作用常数,以及电子波函数在远离空位的几率分布都同电子-核子双共振实验结果相符合。理论确定的深能级位置同深能级瞬态谱的实验值相比拟。协调了现有BV°缺陷的实验资料,支持了B原子位于空位的次近邻,BV°缺陷处于B^-V^+电荷态的结论。

Cu表面弛豫和自扩散机制的修正嵌入原子法模拟

利用角度修正的嵌入原子方法研究了Ｃｕ（１００），（１１０），（１１１）和（３１１）等８个面的弛豫，得到了与实验符合较好的结果．然后研究了Ｃｕ（１００）面上的自扩散机制，得到了与实验和局域密度近似计算相符合的结论．