CMP工艺参数对AlGaInP基LED衬底转移的影响

以GaP/Al2O3/SiO2引导式出光结构作为芯片键合层,通过化学机械抛光工艺减少AlGaInP基Mini-LED衬底转移过程中出现的外延层空洞,提高芯片制备工艺良率。以材料去除速率和表面粗糙度作为技术评价指标,基于单因素实验结果对抛光压力、抛光头转速、抛光盘转速、抛光液流速四个影响化学机械抛光工艺的因素展开L9(34)的正交实验,实验结果表明:在抛光头转速75 r/min、抛光盘转速80 r/min、抛光压力8 kPa、抛光液流速100 mL/min条件下,材料去除速率为83.12 nm/min,表面粗糙度最低为0.477 nm,采用优化后的工艺条件能够获得高质量的GaAs键合表面,有效减少外延空洞,提高制备良率。

新型橙红色荧光粉Sr_(3)CaNb_(2)O_(9)∶Sm^(3+)的制备及发光性能研究

通过高温固相法制备了一系列Sr_(3)CaNb_(2)O_(9)∶xSm^(3+)(0.04≤x≤0.1)新型橙红色荧光粉。研究了其物相、形貌、发光性能、热稳定性和CIE色度坐标。X射线衍射(XRD)物相分析和Rietveld精修结果表明合成了Sr_(3)CaNb_(2)O_(9)的纯相。在407nm的紫光激发下,Sr_(3)CaNb_(2)O_(9)∶Sm^(3+)在645nm处发红光,可归因于Sm^(3+)的^(4)G_(5/2)→^(6)H_(9/2)跃迁。实验表明Sr_(3)CaNb_(2)O_(9)∶xSm^(3+)的最佳掺杂浓度为x=0.07,根据Dexter理论分析,其浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。Sr_(3)CaNb_(2)O_(9)∶Sm^(3+)在423K下发光强度是室温下的90.3%,表现出良好的热稳定性。Sr_(3)CaNb_(2)O_(9)∶xSm^(3+)的发光色坐标均位于橙红色区域,且具有较高的色纯度。结果表明Sr_(3)CaNb_(2)O_(9)∶Sm^(3+)荧光粉在白光发光二极管(WLED)中具有潜在的应用前景。

新型双钙钛矿Ca_(2)GdSbO_(6):Sm^(3+)橙红色荧光粉的制备及其发光性能

用高温固相法合成一种新型系列橙红色荧光粉Ca_(2)Gd_(1-x)SbO_(6):xSm^(3+)(x=0、0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06),使用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)光谱、高温荧光光谱和荧光衰减寿命等手段表征其物相结构、晶体结构、化学纯度和光学性质,研究了材料的发光性能。结果表明,这种荧光粉基于Sm^(3+)在597 nm处的^(4)G_(5/2)→^(6)H_(7/2)跃迁,引入Sm^(3+)作为发光中心在407 nm激发下可发出波长为597 nm的橙红光。随着Sm^(3+)离子浓度的提高Ca_(2)GdSbO_(6):Sm^(3+)荧光粉的发光强度先提高后降低。根据Dexter理论,其浓度猝灭是电偶极-电偶极相互作用主导的,Sm^(3+)离子的最佳掺杂浓度为x=0.03。最佳掺杂样品的色纯度约为99.3%,色坐标为(0.6146,0.3826)。在453K这种Ca_(2)GdSbO_(6):Sm^(3+)荧光粉的发射强度只衰减5.56%,表明其具有较高的热稳定性。