井筒质量巡查监督高质量发展初探

为提高井筒质量管理水平,通过介绍川庆钻探工程有限公司(以下简称川庆公司)井筒质量巡查监督业务,分析当前井筒质量巡查监督现状,进行高质量发展目标论述,提出了“科研项目协同攻关、积极推进标准化建设、信息化建设扬帆起航、井筒质量巡检市场开拓、井筒质量巡检精益管理、加强监督机构合作交流”6个方面的发展策略,促进井筒质量巡查监督行业发展。

离子束与固体相互作用及材料改性研讨会纪要

在国家自然科学基金委数理学部和工程与材料学部的支持和参与下，来自全国的２２位曾承担过物理Ⅱ学科资助项目的专家聚集在武汉大学，就离子束材料学科领域的研究进展和未来发展进行了广泛和深入的讨论。我国从事该领域研究的主要单位和主要学术带头人基本上都出席了本次...

一种薄膜离子束冶金学研究用多功能靶室

在200keV离子注入机上设计和建造了一个多功能靶室,它装有:(1)四源真空蒸发沉积系统;(2)石英晶体膜厚计;(3)高低温度温靶;(4)“原位”四探针电阻测量系统。用本装置制备了离子束混合非晶态Al-Mn合金薄膜,并“原位”测量了薄膜的电特性。

离子束技术和薄膜功能材料研究

总结了武汉大学物理系加速器实验室近年来在离子束技术和薄膜功能材料研究方面的主要成果，包括：大型离子束及薄膜研究设备的建造和改进，非晶合金、高温超导、Ｃ６０、β－Ｃ３Ｎ４等多种新型薄膜功能材料的离子束合成和材料改性研究．这是近１０年来薄膜功能材料最前沿的研究课题，这些研究工作具有一定的特色。

刀具涂层技术的新进展

:概述了一些具有应用前景的刀具硬质涂层新材料和多元、复合多层超硬薄膜的应用 ;介绍了超高硬度涂层材料 :低压气相合成金刚石、立方氮化硼和β-C3N4的研究进展 。

TiO_2薄膜的制备及结构研究

本文探讨了用平面磁控溅射法制备ＴｉＯ２薄膜．研究了ＴｉＯ２薄膜结构随溅射条件（衬底温度、氧分压、工作气压）的变化．用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测薄膜结构，用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测薄膜钛氧成分比．得到了制备金红石相和锐钛矿相ＴｉＯ２薄膜的最佳工艺参数．

中频脉冲磁控溅射制备氮化铝薄膜

使用中频脉冲磁控溅射技术分别在Si(111)、玻璃以及高速钢基底上沉积AlN薄膜.利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜、紫外荧光、FTIR、精密阻抗分析仪等研究了薄膜的结构、光学及电学性质.结果表明,生成的(002)取向的多晶AlN薄膜在可见光区域平均透过率超过75%,在紫外区域也具有较高的透过率,在低频交流区域具有良好的绝缘性.

高速钢镀氮化碳超硬涂层及其应用研究

本文采用DC 反应磁控溅射和电弧离子镀相结合的方法在高速钢上沉积氮化碳-氮化钛复合膜,经X射线衍射分析,复合膜中存在a-C3N4和b-C3N4的硬质相。复合膜的显微硬度 HK=50.5—54.1GPa,它与高速钢基体的附着力,用划痕试验测得临界载荷Lc=40—80N。多种刀具试用证实,该涂层具有很高的耐磨性,与未涂层和镀TiN的刀具相比,大幅度提高了刀具的耐用度。

用扫描电镜研究CN_x/TiN涂层的摩擦磨损

利用一台直流磁控溅射和多弧沉积设备在高速钢 (HSS)衬底上沉积CNx TiN多层复合膜 ,涂层的硬度超过5 0GPa。销 -盘式摩擦试验研究了涂层的滑动摩擦性能 ,利用扫描电镜观察并分析了薄膜的磨损模式。结果显示涂层结构致密 ,附着牢固。涂层的主要磨损形式为粘着磨损、疲劳磨损和磨粒磨损。

加速器-电子显微镜联机进行材料科学研究的新进展

离子或电子辐照引起的材料微结构演变是一个非常复杂的过程.用加速器 电子显微镜联机装置可原位观察载能离子束辐照及辐照后退火引起的材料微结构演变,并确定相应的辐照条件.介绍了近10年来国际上利用加速器 电子显微镜联机装置开展材料科学研究的最新进展.

高速钢刀具镀氮化碳超硬涂层研究

为了在高速钢刀具上制备先进的氮化碳超硬涂层,采用DC反应磁控溅射和电弧离子镀相结合的方法在高速钢上沉积氮化碳—氨化钛复合膜,经X射线衍射分析,复合膜中存在α—C_3N_4和β—C_3N_4两种硬质相。复合膜的显微硬度(HK)为50.5～54.1GPa,用划痕试验测量它与高速钢基体的附着力,测得临界载荷L_c=40～80N,多种刀具试用证实,该涂层具有很高的耐磨性,与未涂层和镀TiN的刀具相比,大幅度提高了刀具的耐用度。

直流反应磁控溅射法注积ZrN薄膜

采用直流反应磁控溅射法淀积ZrN薄膜发现在（100）晶向硅片上ZrN薄膜按（111）晶向生长，控制生长工艺可以获得ZrN（111）晶向的外延生长膜．

刀具涂层技术的新进展

涂层刀具的出现,使刀具切削性能有了重大突破,它将刀具基体与硬质薄膜表层相结合,由于基体保持了良好的韧性和较高的强度,而硬质薄膜表层又具有高耐磨性和低摩擦系数,从而使刀具的性能得到大大提高。

氮化碳刀具在硬质面加工中的应用

分析当前各种刀具材料的优缺点 ,回顾氮化碳的历史 ,分析氮化碳涂层在刀具上应用的可行性 。

Mn^+注入p型GaN薄膜的结构和磁学特性

用低压MOCVD法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长纤锌矿结构的GaN.GaN膜总厚度为4μm,包括0.5μm掺Mg的p型表面层.Mn+离子注入的能量为90keV,剂量为1.0×1015～5.0×1016cm-2,被注入的p型GaN处于室温.对注入样品的快速热退火处理是在N2气流中进行的,温度约为800℃,时间为30～90s.采用X射线衍射(XRD)、卢瑟福背散射(RBS)和原子力显微镜(AFM)研究,发现Mn+注入GaN膜的结构受注入剂量和退火条件的控制.通过超导量子干涉仪(SQUID)分析,在Mn+注入剂量为5.0×1015cm-2、并经850℃退火30s的GaN膜中发现了铁磁性,表明离子注入方法是进行GaN掺杂改性的有效手段.

CN_x/TiN多层复合涂层抗水蚀性能的研究

采用多弧-磁控溅射镀膜机在不锈钢2Cr13衬底上沉积CNx/TiN多层复合涂层。利用光电子能谱仪(XPS)和透射电子衍射(TED)对涂层的组成和结构进行分析。利用自行研制的高压水蚀试验装置对不锈钢、高铬铸铁、司太立合金以及CNx/TiN多层复合涂层的抗水蚀性能进行对比试验,最后对涂层的水蚀失效机理进行了探讨。试验结果表明:CNx/TiN多层复合涂层具有较高的硬度、附着力、抗热冲击性能以及优异的抗水蚀性能,是一种优良的汽轮机末级叶片抗水蚀用涂层。

PECVD法氮化硅薄膜的研究

本文采用射频等离子体增强化学气相生长法（ＰＥＣＶＤ），在单晶硅衬底上生长氮化硅薄膜，经Ｘ射线衍射测试发现，在（１００）晶向硅片上生长的氮化硅薄膜为（１０１）晶向的外延生长膜。还用红外吸收光谱拉曼光谱和Ｘ射线光电子能谱测试了β－Ｓｉ３Ｎ４的特性，讨论了它在微电子学中的应用。

氮化碳薄膜的X射线衍射分析

研究了生长在硅片、合金钢片上的氮化碳薄膜的X射线衍射谱(XPD)。实验结果表明在硅片上先生长Si_3N_4过渡层和对样品进行热处理,有利于β-C_3N_4晶体的生成。不同晶面的硅衬底,生长C_3N_4薄膜的晶面不同。合金钢片上C_3N_4薄膜,出现七个β-C_3N_4衍射峰和六个α-C_3N_4衍射峰,这些结果与β-C_3N_4和α-C_3N_4的晶面数据计算值相符合。

RF等离子体CVD合成氮化碳薄膜的XPS研究

采用射频等离子体化学气相沉积技术合成氮化碳薄膜，测量其Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），获得两组Ｃ（１ｓ）电子和Ｎ（１ｓ）电子结合能，它们是Ｅ（Ｃ１）＝３９８．０～３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｃ２）＝２８４．６～２８４．８ｅＶ；Ｅ（Ｎ１）＝３９８．０～３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｎ２）＝４００．０～４００．９ｅＶ。证实了薄膜中碳原子存在ｓｐ３杂化轨道成键和ｓｐ２杂化轨道成键两种键合形式。该方法合成的氮化碳薄膜含氮量在１２．０～５３．７％，含氮量随沉积时氮气流量的增大而增大。

Mn^+离子注入GaN薄膜的磁性研究

在(0001)面的蓝宝石衬底上用MOCVD法生长纤锌矿结构的GaN。GaN膜总厚度为4μm,表层为0.5μm厚的掺Mg的p型层。用90keV的Mn+离子对处于室温下的GaN进行离子注入,注入剂量为1×1015~5×1016ions/cm2。对注入的样品在N2气流中经约800℃进行快速热退火处理,时间为30~90s。样品的磁性用超导量子干涉仪(SQUID)进行分析。未注入的p型GaN薄膜是抗磁性的,而Mn+注入的GaN显现顺磁性(注入剂量为1×1015ions/cm2)和铁磁性(注入剂量为5×1015~5×1016ions/cm2)。结合X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对GaN薄膜在注入和退火后的结构和形貌研究,揭示Mn+注入是进行GaN磁性掺杂的有效手段,在Mn+注入p型GaN、制备得到的(Ga,Mn)N稀磁半导体中,空穴调制铁磁性是其主要的磁性机制。