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600℃小体积风冷黑体的研制
1
作者
李学全
王泽秀
+4 位作者
余久水
范炳筠
张杏娣
李佳
翟秀昆
《红外技术》
CSCD
1991年第2期37-41,共5页
用一实锥和一空锥构成二锥腔,付诸黑体模拟,得一双倒锥黑体腔。用它做一小黑体,标定结果,发射率ε=0.986,和设计值相近。同时介绍黑体配件——一个带风机廷时的黑体控温电路。
关键词
黑体
几何光学
光壁腔黑体
下载PDF
职称材料
精确计算湿敏传感器电容值的方法
2
作者
范炳筠
许生龙
《上海半导体》
1991年第1期5-8,共4页
关键词
湿敏传感器
电容值
计算
下载PDF
职称材料
掺磷低压化学汽相沉淀的硅薄膜
3
作者
M.M.Mandurah
T.I.Kamins
范炳筠
《红外技术》
1980年第4期21-28,共8页
本文对于低压化学汽相沉淀方法沉积的多晶硅薄膜的电导性能进行了研究,并与大气压下沉积的薄膜的导电性能作了比较。低压薄膜在580℃和620℃下沉积成,然后用离子注入法掺入磷。在620℃下沉积的薄膜是多晶膜,而在580℃下沉积的薄膜最初...
本文对于低压化学汽相沉淀方法沉积的多晶硅薄膜的电导性能进行了研究,并与大气压下沉积的薄膜的导电性能作了比较。低压薄膜在580℃和620℃下沉积成,然后用离子注入法掺入磷。在620℃下沉积的薄膜是多晶膜,而在580℃下沉积的薄膜最初是无定形膜,但经过热处理后,它就变成结晶膜。对于两种不同掺磷剂量的低压膜,研究了退火温度对电阻率的影响,发现电阻率随退火温度的升高而减小。580℃下沉淀的薄膜经退火后,它的电阻率总是比620℃下沉淀的薄膜的电阻率低,而且在退火温度较低的情况下,两者的差别最为显著。在第二组实验中,注入的磷量范围很宽,相当于平均掺杂浓度在2×10^(15)—2×10^(20)cm^(-3)之间。只有在浓度低于2×101^(15)cm^(-3)和高于2×10^(20)cm^(-3)的情况下,电阻率才是掺杂浓度的一个慢变化函数(Slowfunction);而浓度在2×10^(15)cm^(-3)和2×10^(20)cm^(-3)之间时,掺杂浓度稍有改变就会使电阻率发生很大的变化。如上所述,在580℃沉淀的薄膜,其电阻率总是最低,在掺杂浓度居于中间的情况下,这尤其显著。测量了霍尔迁移率,发现它在掺杂浓度近于6×10^(18)cm^(-3)时有一最大值,而且随掺杂浓度降低急速减小。可以预料,所观察到的霍尔迁移率的这种变化特性与薄膜是由含有大量载流子陷阱的晶粒间界环绕的微晶构成这一解释相一致。
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关键词
掺杂浓度
电阻率
退火温度
电阻系数
迁移率
多晶硅薄膜
汽相
低压
电压
掺磷
下载PDF
职称材料
题名
600℃小体积风冷黑体的研制
1
作者
李学全
王泽秀
余久水
范炳筠
张杏娣
李佳
翟秀昆
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
1991年第2期37-41,共5页
文摘
用一实锥和一空锥构成二锥腔,付诸黑体模拟,得一双倒锥黑体腔。用它做一小黑体,标定结果,发射率ε=0.986,和设计值相近。同时介绍黑体配件——一个带风机廷时的黑体控温电路。
关键词
黑体
几何光学
光壁腔黑体
Keywords
Blackbody
Mathematics analogy
Geometry optical method
分类号
TN21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
精确计算湿敏传感器电容值的方法
2
作者
范炳筠
许生龙
出处
《上海半导体》
1991年第1期5-8,共4页
关键词
湿敏传感器
电容值
计算
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
掺磷低压化学汽相沉淀的硅薄膜
3
作者
M.M.Mandurah
T.I.Kamins
范炳筠
出处
《红外技术》
1980年第4期21-28,共8页
文摘
本文对于低压化学汽相沉淀方法沉积的多晶硅薄膜的电导性能进行了研究,并与大气压下沉积的薄膜的导电性能作了比较。低压薄膜在580℃和620℃下沉积成,然后用离子注入法掺入磷。在620℃下沉积的薄膜是多晶膜,而在580℃下沉积的薄膜最初是无定形膜,但经过热处理后,它就变成结晶膜。对于两种不同掺磷剂量的低压膜,研究了退火温度对电阻率的影响,发现电阻率随退火温度的升高而减小。580℃下沉淀的薄膜经退火后,它的电阻率总是比620℃下沉淀的薄膜的电阻率低,而且在退火温度较低的情况下,两者的差别最为显著。在第二组实验中,注入的磷量范围很宽,相当于平均掺杂浓度在2×10^(15)—2×10^(20)cm^(-3)之间。只有在浓度低于2×101^(15)cm^(-3)和高于2×10^(20)cm^(-3)的情况下,电阻率才是掺杂浓度的一个慢变化函数(Slowfunction);而浓度在2×10^(15)cm^(-3)和2×10^(20)cm^(-3)之间时,掺杂浓度稍有改变就会使电阻率发生很大的变化。如上所述,在580℃沉淀的薄膜,其电阻率总是最低,在掺杂浓度居于中间的情况下,这尤其显著。测量了霍尔迁移率,发现它在掺杂浓度近于6×10^(18)cm^(-3)时有一最大值,而且随掺杂浓度降低急速减小。可以预料,所观察到的霍尔迁移率的这种变化特性与薄膜是由含有大量载流子陷阱的晶粒间界环绕的微晶构成这一解释相一致。
关键词
掺杂浓度
电阻率
退火温度
电阻系数
迁移率
多晶硅薄膜
汽相
低压
电压
掺磷
分类号
O48 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
600℃小体积风冷黑体的研制
李学全
王泽秀
余久水
范炳筠
张杏娣
李佳
翟秀昆
《红外技术》
CSCD
1991
0
下载PDF
职称材料
2
精确计算湿敏传感器电容值的方法
范炳筠
许生龙
《上海半导体》
1991
0
下载PDF
职称材料
3
掺磷低压化学汽相沉淀的硅薄膜
M.M.Mandurah
T.I.Kamins
范炳筠
《红外技术》
1980
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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