采用反馈法使微波低噪声FET放大器同时获得最佳噪声和最小驻波的研究

本文讨论了采用反馈法的优点,对应用反馈技术使微波低噪声FET放大器同时获得最佳噪声和最小驻波问题进行了研究分析,讨论了放大器的设计,给出了计算和实验结果。在7.6～9GHz下,两级放大器增益18dB,噪声系数小于2.4dB,输入驻波小于2.1。

S波段GaAs单片可变增益放大器

用分析方法获取具有4个端口的双栅FET适用S参数进行设计,用微波单片集成电路技术制成增益30dB,可控增益大于65dB,二栅开关时间小于5ns的S波段单片可变增益放大器,封装后的尺寸为17.5mm×20mm×5mm。

X波段单片集成空气桥源MESFET放大器

1983年日本的H.Itoh等首先将空气桥源MESFET应用于12GHz单片集成低噪声放大器,实现器件的单边接地。但是,由于器件采用叉指结构,无法采用斜蒸发工艺缩短栅长。1986年,南京电子器件研究所也研制成空气桥源MESFET。这种器件结构适合目前广泛采用的凹槽斜蒸栅工艺,有利于亚微米栅的制备,并已将该器件应用于X波段GaAs单片集成放大器电路。其测量性能见表Ⅰ。

S波段GaAs单片可变增益放大器

微波单片集成电路(MMIC)是新一代微波产品。它把有源和无源元件,采用可批量生产的集成技术制作在同一GaAs衬底上完成一定微波功能,具有成本低、产量高、可靠性高、体积小、重量轻等突出的优点。南京电子器件研究所1991年研制的MMIC产品WD64型S波段GaAs单片可变增益放大器如图1所示。其芯片尺寸为4.5mm×1.6mm×0.15mm。

Ku波段GaAs单片集成移相器

本文报道了一种工作在16.0～17.0GHz单片集成180°的移相器.文中通过对无源工作的GaAs MESFET的建模,分析了影响移相器性能的主要参数,以及这些参数的最佳取值.制作在2.45×2.80×0.2mm芯片上的移相器其参数为:插损小于4.03dB,输入电压驻波比小于1.66,输出电压驻波比小于1.71,相移偏差在12.5°以内.

单边接地MESFET及其寄生效应的分析模型

本文介绍了栅宽为150μm和240μm两种单边接地MESFET制造工艺及其在单片电路中的应用。这种器件结构可减小器件占用的GaAs芯片面积,提高电路布线的灵活性,并已应用于12GHz低噪声放大器GaAs单片电路,取得了良好效果。本文也给出了这种器件寄生效应的分析模型,并计算讨论了栅靶、空气桥以及接地块等寄生元件对器件的散射参数和噪声参数的影响。