基于噪声抵消技术的低噪声放大器的设计

本文采用SMIC0.18um CMOS射频工艺设计了基于噪声抵消技术的低噪声放大器(LNA),并通过仿真验证。仿真结果显示,该低噪声放大器具有良好的噪声性能特性,噪声最低小于1.5d B在宽频带内整体噪声小于5d B,以及良好的S参数,S21最高增益大于20d B,S11和S22都小于-10d B,适合通信技术要求。