基于DGS的电磁交叉耦合微波带通滤波器

基于混合电磁交叉耦合理论,引入缺陷地结构,采用内折叠微带开口环谐振器,设计了一款通带为3.2~3.5 GHz的微带带通滤波器.经测试,通带内S_(21)≥-3.1 dB,S_(11)≤-15 dB,群时延1.4 ns~1.88 ns,滤波器整体尺寸为24.0 mm×19.2 mm.

二维光子晶体中场的分布

为了了解电磁波在光子晶体中的传输特性,用MATLAB与时域有限差分法把电磁波在真空与光子晶体中的传播实时可视化,并给出了场的空间静态分布。数值模拟的结果表明,禁带中的波被光子晶体控制,其能量分布在介质柱中,并观察到了电磁波局域化现象。

不同单元结构光子晶体的带隙分析

用时域有限差分法数值模拟了电磁波在二维光子晶体的传播,计算结果表明:填充率存在一个最佳值,使光子晶体带隙宽度最大,而带隙中心频率随填充率的增大而向低频移动;介质柱的横截面的形状是影响带隙的一个因素:填充率相同,横截面的形状不同,其带隙位置、宽度不同。

二维光子晶体异质结构的带隙分析

提出异质结构的二维光子晶体模型,用时域有限差分法计算其带隙,数值计算结果表明,其带隙宽度变大。

二维光子晶体缺陷模特性研究

用时域有限差分法计算了二维光子晶体的带隙和缺陷模,结果表明:在缺陷中心位置其强度达到最大值,离缺陷中心越远,强度越小。比较了方形介质柱与圆形介质柱光子晶体缺陷模:圆形缺陷缺陷模衰减的特征长度较小,但其缺陷模的品质因数较大。缺陷模的中心频率随缺陷介电常数的增大而变小,并近似成线性关系。

金属EBG型电磁屏蔽织物的设计

提出了一种金属EBG型电磁屏蔽织物。利用时域有限差分法计算的结果表明:该屏蔽织物带宽很大,屏蔽效能可以达到-40 dB,电导率对截止频率的影响很小,容积率对截止频率的影响很大,织物的厚度对屏蔽效能的影响很小。

光子禁带型遮阳品的设计

为了屏蔽紫外线,提出光子禁带型遮阳品,分别用传输矩阵、时域有限差分法计算紫外线在1维、2维光子禁带型遮阳品中的透射率。结果表明,选取合适的参量,可以设计紫外线的1维、2维光子禁带遮阳品;入射角对1维、2维遮阳品的禁带波长下限都有较大影响。

介质折射率对一维三元光子晶体带隙的影响

利用光学传输矩阵法,数值模拟了一维二元、三元光子晶体的带隙结构,得出:三元光子晶体的主带隙略宽于二元光子晶体的主带隙;三元光子晶体的主带隙主要取决于最高折射率的介质和最低折射率的介质,而与居于两者之间的介质关系不大,并作出了相应的关系曲线。最后推导了三元光子晶体的色散关系。

IGBT深槽刻蚀氮化硅硬掩膜制作工艺研究

硅基深槽刻蚀是槽栅IGBT器件的基本结构,也是确保器件性能的关键工艺,氮化硅硬掩蔽膜质量对于硅基深槽刻蚀起着重要的作用.本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺淀积氮化硅薄膜,具有均匀性好,而且呈现较大的张应力,可以补偿二氧化硅缓冲层的压应力,有效地解决了硅-二氧化硅-氮化硅夹心结构的应力问题.分析比较了工艺参数,如气体流量、淀积环境的压强、温度等,对氮化硅薄膜生长速率及膜厚的影响,获得了氮化硅薄膜淀积的优化工艺参数.

100 keV直流光阴极电子枪接入真空电极后的电场仿真

采用三维电场仿真软件对100 keV超快电子衍射装置的直流光阴极电子枪在接入真空电极后的整体电场进行仿真,观察真空电极的工作特性及其对电子枪的影响.仿真结果表明,高压导线与真空电极连接的金属球表面电场约为4 kV/mm,处于易引发电晕放电的范围,放置PVC保护罩可阻挡其发展至空气击穿;真空电极大气压侧的陶瓷表面电场维持一较小值,不会发展出沿陶瓷表面的沿面放电;进入真空腔部分的电极导线表面电场最大值接近17 kV/mm,远超过电子枪阴极和阳极表面,极容易产生真空电子发射而导致真空击穿.在真空电极导线外套5 mm半径表面光滑金属长圆柱可有效降低表面电场,陶瓷材质效果更好,但由于陶瓷存在高电压下的间隙击穿和气孔击穿,陶瓷加工需严格.