Cu掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电性能和晶界特征

采用传统的固相反应工艺制备了Cu掺杂的CaCu3Ti4O12(Cu-CCTO)陶瓷。采用Schottky热电子发射模型研究了其晶界特征。研究了保温时间对Cu-CCTO陶瓷的介电性能和晶界特征的影响。结果表明:保温时间从1 h延长到30 h,Cu-CCTO陶瓷在100 kHz下的介电损耗保持在0.135,相对介电常数由3 600增至20 000以上。随着保温时间的延长,Cu-CCTO陶瓷的I-V非线性系数由1.8增至3.37,但击穿电场强度却由1 500 V/cm降至约700 V/cm。随着保温时间的延长,Cu-CCTO陶瓷的势垒高度和耗尽层宽度均增加。

CaCu_(2.7)Ti_4O_(12)介电性能和J-E特征

采用传统的固相反应法制备了Cu欠量的CaCu3Ti4O12(CaCu2.7Ti4O12)陶瓷,研究了不同烧结时间对CaCu2.7Ti4O12相结构、显微形貌、介电性能和J-E非线性特征的影响。结果表明,延长保温时间降低了CaCu2.7-Ti4O12陶瓷的中低频介电损耗和击穿场强并且显著提高了其介电常数。采用肖特基热电子发射模型对其非线性特征和电学性能的变化机理进行了分析,认为耗尽层宽度是影响电学性能的主要因素。保温30h的CaCu2.7Ti4O12陶瓷有望作为低压压敏电阻应用于半导体电路中。