高开关比（I_（on）／I_（off））a－Si TFT

本文报道了采用倒置交错结构（Ｔａ／（Ｔａ２Ｏ５）ＳｉＮｘ／ｉｎ＋ａ－Ｓｉ／Ａ１）的ＴＥＴ矩阵研究结果．其关态电流（Ｉ_ｏｆｆ（－５Ｖ））在５—７×１０￣－１４Ａ（对Ｗ／Ｌ＝１０），开态电流Ｉ_ｏｎ（Ｚ０Ｖ）大于１０μＡ，Ｉ_ｏｎ／Ｉｏｆｆ在１０８量级，场效应迁移率可达０．７９ｃｍ２／Ｖ．ｓ．

α-Si TFT有源矩阵液晶显示器的研制进展

本文全面介绍了我们在α—ＳｉＴＦＴ—ＡＭＬＣＤ“八五”科技攻关研究中的ＴＦＴ矩阵模拟与优化设计、性能改善、提高矩阵板一致性与完整性、液晶封屏以及视频显示设计与实现等方面所做的工作。并在南开大学形成的一个集中的ＴＦＴ—ＬＣＤ研制线上，最终研制出具有视觉感受无缺陷的α—ＳｉＴＦＴ—ＡＭＬＣＤ视频图象显示器。

双栅绝缘层a-Si TFT研究

采用阳投氧化法对Ta、Ae两种栅电投进行了氧化物获得及性能研究。低阻Ta膜的获得是至关重要的，我们采用直流磁控溅射法详细研究了降低Ta膜电阻的条件，并获坡度可达30—45°的蚀刻条件。阳极氧化膜的厚度可精确地用工作电压控制，其性能则与工作电流、结束方式紧密相关。MOx/SiNx双层膜厚控制匹配与TFT性能关系甚大，在权衡矩阵成品率与性能方面尚有工作要做。实验发现，在严格控制实验条件下，可使TFT的场迁移率得以改善，相应开态电流有所增长。

TFT LCD数模混合适配器

利用常见芯片加以改造设计制造了一个ＴＦＴＬＣＤ计算机显示适配器。其控制器用数字电路，而驱动器是模拟方式的，并在现有芯片基础上实现了多灰度级，还编制了较为完善的软件系统。

TFT矩阵动态检测系统

本文介绍了基于电荷测量原理的TFT矩阵自动检测系统。该系统可以对TFT矩阵进行多参数的检测,并可用来统计矩阵的成品率及分析TFT的动态特性。