1 MeV电子辐照对InGaAsP/InGaAs双结电池电学参数的影响

为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1 MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况。结果表明:随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构。

激发功率对GaInNAs单量子阱材料的光致发光的影响

Ga(In)AsN材料是一种新颖的半导体材料,对其进行适当的n型掺杂后其能带可调,宽度可调范围为0.8-1.4eV,并且与Ge、GaAs衬底材料晶格匹配。这种独特的性能为新型光电器件的研发和应用提供了一个不可取代的候选材料。通过低温(T=10K)光致发光方法研究了激发功率密度对GaInNAs/GaAs单层子阱结构光致发光(PL)性能的影响。