低温烧结BaO-Nd_2O_3-TiO_2陶瓷介质材料的研制

采用固相法制备了BaO-Nd2O3-TiO2(BNT)陶瓷,研究了Bi2O3-SiO2-ZnO-CaO(BSZC)玻璃添加量对所制BNT陶瓷介电性能的影响。结果表明:添加质量分数7%～9%的BSZC玻璃,可使BNT陶瓷在960℃下烧结致密,匹配10Pd/90Ag内电极,获得相对介电常数εr≈88,介质损耗tanδ=6×10–4,电容温度系数αc≈0的高频MLCC陶瓷介质材料。

锆钛酸锶钙陶瓷材料主晶相组份与介电性能

采用固相法制备了CaxSr(1-x)〔Ti(1-y)Zry〕zO3(CSTZ锆钛酸锶钙)陶瓷,研究CSTZ系统陶瓷材料的组成与介电性能的关系。结果表明:当x为0.45,y为0.88,z为1.05时,主晶相CaxSr(1-x)〔Ti(1-y)Zry〕zO3形成完全互溶钙钛矿型固溶体。可获得具有理想介电性能、不含Pb和Cd等有害杂质的抗还原高频MLCC瓷料。

钛酸锌镁介质陶瓷的制备与介电性能

采用固相合成法制备了Mg0.22Zn0.78TiO3(简称MZT)化合物陶瓷粉体,研究了烧结助剂及Ca O掺杂对MZT介质陶瓷的烧结和介电性能的影响。实验结果表明,掺杂少量的Ca O能改善MZT陶瓷的介电性能,加入质量分数为10%烧结助剂,能获得一种能在较低温度下烧结的MZT系瓷料,烧结温度为1 000℃时,测得陶瓷样品的最佳介电性能:相对介电常数约为21,介质损耗小于1.5×10-4,介电常数温度系数符合C0G瓷料的要求。

预烧工艺对MgTiO_3系MLCC瓷料性能的影响

以Mg(OH)2,TiO2,CaCO3和ZnO为主要原材料,采用不同预烧工艺合成了MgTiO3主晶相材料。研究发现,快速升温到高温区(1150℃),然后降低温度至1000℃并保温4h所得的MgTiO3主晶相材料,为结构均匀、近似球形的颗粒,用其制备的MLCC瓷料,比表面积为5.5～6.5m2/g,分散性好。这种瓷料适合制造薄介质膜,制得的MLCC具有优良的介电性能,其绝缘强度E大于1.243V/m,tanδ小于1.3×10–4,εr为15.0～15.5。

贱金属MLCC瓷料添加剂的研究

文章研究了优选的SiO2-MgO-BaCO3-CaCO3-MnCO3及 SiO2-Li2CO3-Al2O3-MnCO3两个体系作为[CaxSr（1-x]zTi（1-y）ZryO3（以下简称：CSTZ）陶瓷材料的添加剂对其介电性能的影响，并对影响机理作了初步探讨。结果表明：合适的添加剂可使CSZT陶瓷的烧结温度降至1260-1280℃，添加2-4%的Si02-MgO-BaCO3-CaCO3-MnCO3系添加剂时可以获得具有良好烧结性及介电性能的贱金属MLCC瓷料。

氧化钽对氧化铋掺杂钛酸锆锡介电性能的影响

微波介质陶瓷是一类用于微波频段（主要是300M～30GHz）电路完成一定功能且具有介电常数高[介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场（真空中）与最终介质中电场比值即为相对介电常数，

xCaTOi_3-(1-x)LaAOl_3微波介质陶瓷介电性能研究

采用固相法制备了xCaTiO_3-(1-x)LaAlO_3(CTLA钛酸钙-铝酸镧)复合陶瓷,研究CTLA系统陶瓷材料中x变化、工艺条件和添加剂变化与介电性能的关系。结果表明:当0.67x≤0.75,1230℃下预烧,成品添加质量分数0.5%MnO_2,粉体粒度D50研磨至1.5μm时,1400℃烧结成瓷,主晶相xCaTiO_3-(1-x)LaAlO_3形成完全互溶钙钛矿型固溶体。可获得具有理想的微波介电性能(40≤εr≤50,Qf≥40000,τf在-20×10-6~20×10-6/℃范围内可调),不含Pb、Cd等有害杂质的高Q中介电常数微波介质陶瓷。

(Ca,Sr)(Zr,Ti)O_3系抗还原高频介质瓷料的研究

采用固相合成法制备了(Ca,Sr)(Zr,Ti)O3(简称CSZT)系电容器陶瓷材料,研究了主晶相组分对所制材料介电性能的影响。结果表明:通过调整主晶相CSZT中各组分的配比,再加入适量的烧结助剂,能得到一种可在还原气氛中烧结的高频介质瓷料,该瓷料可与镍内电极共烧,其相对介电常数约为89,介质损耗(tanδ)小于5×10–4,绝缘电阻达到1012Ω,介电常数温度系数为–1 037×10–6/℃。