三氯氢硅歧化的研究

目前,SiH_2Cl_2作为优质源材料在外延工艺中的应用日益广泛,可用于沉积多晶硅、无定形硅和氮化硅等,是研制集成电路的一种重要材料。很多研究工作者论述了以含氮原子功能团的非可溶性固体催化剂进行SiHCl_3岐化制取SiH_2Cl_2工艺。本文报导实验室条件下进行SiHCl_3岐化研究的若干结果。

GaAs太阳电池帽层腐蚀研究──GaAs/AlGaAs薄膜体系的选择性腐蚀

由ｐ＋－ＧａＡｓ帽层和ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（ｘ＝０·８—０．９）窗口层构成的异质薄膜体系是ＧａＡｓ太阳电池器件中的常规结构。对该异质结构的只腐蚀ＧａＡｓ而不腐蚀ＡｌＧａＡｓ的选择性腐蚀工艺是ＧａＡｓ太阳电池制备过程中的一道关键工序。针对传统腐蚀工艺中出现的腐蚀后露出的ＡｌＧａＡｓ表面呈现彩色的问题，从改进腐蚀液配方角度，围绕通常采用的氨水－双氧水（ＮＨ４ＯＨ－Ｈ２Ｏ２）腐蚀液体系，对该问题作了深入细致的专门研究，并与柠檬酸－双氧水（Ｃ６Ｈ８Ｏ７－Ｈ２Ｏ２）和柠檬酸－柠檬酸钾－双氧水（Ｃ６Ｈ８Ｏ７－Ｋ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７－Ｈ２Ｏ２）腐蚀液体系作对比，最终得到了较满意的氨水－双氧水－磷酸（ＮＨ４ＯＨ－Ｈ２Ｏ２－Ｈ３ＰＯ４）新腐蚀液体系。这种腐蚀液体系不仅可在较宽的溶液浓度范围内实现对高Ａｌ组分ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结构的选择性腐蚀。

MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究

从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ 的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究．首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给出了ＡｌＧａＡｓＡＰ－ＭＯＶＰＥ生长过程中控制参数和Ａｌ在固、气相间的分配系数ｋＡｌ之间的关系式．之后，依据该关系式分析实验数据，并对ｋＡｌ的动力学行为规律进行了研究．结果表明，ｋＡｌ值大小与ＡｌＡｓ 和ＧａＡｓ 的生长效率（单位ⅢＡ 族原子输入量下材料的生长速率）之比Ｋ 的大小有关：ｋＡｌ随Ｋ 的增加而增大；当Ｋ＞ １ 时，ｋＡｌ＞ １，当Ｋ＜ １ 时，ｋＡｌ＜ １，实际情况以前者居多；只有当Ｋ＝ １ 时才ｋＡｌ＝ １．此外，生成ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ 的表观反应活化能Ｅａ１和Ｅａ２的不同会导致Ｋ，进而ｋＡｌ随生长温度发生变化：当Ｅａ１＞ Ｅａ２时，ｋＡｌ随生长温度的升高而减小，当Ｅａ１＜ Ｅａ２时，ｋＡｌ随生长温度的升高而增大，论文得到的结果属后种；只有当Ｅａ１＝ Ｅａ２时，ｋＡｌ才不随生长温度发生变化．再者，ｋＡｌ还会随Ａｌ在气相ⅢＡ 族原子中的原子百分含量ｘⅤＡｌ的增加而减小．

MOCVD GaAs太阳电池的结特性

本文用拟合的方法求得了太阳电池的结特性参数．结果表明ＭＯＣＶＤ太阳电池的效率随电池外延ｎ型层厚度的增大而增大．暗电流随电池外延ｎ型层厚度的增大而减小．ＭＯＣＶＤ电池承受反向电流的冲击的能力随电池外延ｎ型层厚度的增大而增强．ＭＯＣＶＤ电池比ＬＰＥ电池所能承受的反向电流密度大．

高速电子器件MOCVD材料的研究动态

阐述了ＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等高速电子器件的ＭＯＣＶＤ材料的研制现状，对可能存在的问题进行了讨论。同时介绍了硅上异质外延ＧａＡｓ的新工艺及其在高速电子器件中的应用前景。

Kinetic Study on Uniformity of AlGaAs Grown by MOVPE

The growth kinetic factors affecting the uniformity of AlGaAs in a horizontal atmospheric MOVPE (AP-MOVPE) reactor with a horizontal susceptor were investigated. The decrease in the growth rate of AlGaAs (R-AlGaAs) in the now direction is related to both the gas depletion and the decreasing growth rate of GaAs (R-GaAs) with the increasing gas temperature in this direction. The change of x in the flow direction has relations not only to the different changes of R-GaAs and R-AlAs(the growth rate of AlAs) with the gas temperature, according to which x will increase in the now direction, but also to the higher depletion rate of Al containing species compared with that of Ga containing species, according to which x: will decrease. Due to the similar reason, the loss of symmetry about the length axis of the susceptor can also result in the monotone increase or decrease in thickness and x in the crosswise direction.

GaAs和AlGaAs掺碳MOVPE生长技术进展

Ｃ作为ＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的ｐ型掺杂剂，如Ｚｎ和Ｂｅ。根据近期研究成果，对采用ＭＯＶＰＥ技术生长的掺ＣＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓ性能研究中的若干方面给予了系统介绍和讨论。在此基础上对其应用作了总结，并对今后工作提出了几点建议。