Ⅰ型倍增层对异质SAM结构InSb-APD红外探测器性能的影响

红外探测器的光电特性会受到内部结构倍增层参数的影响,为了能够改善器件的雪崩效应,借助仿真软件Silvaco-TCAD,详细探讨了Ⅰ型倍增层的残余掺杂浓度和厚度对异质SAM结构InSb-APD红外探测器性能的影响。研究结果表明,随着Ⅰ型倍增层掺杂浓度的增加,其倍增层内的电场强度峰值增加,同时光响应度略微增加;随着Ⅰ型倍增层厚度的增加,其倍增层的光响应度与暗电流密度升高,同时电场强度峰值减少。进一步研究表明,当Ⅰ型倍增层残余掺杂浓度和厚度分别为1×10^(15)cm^(−3)和3μm时,有利于雪崩过程。

异质结构InSb-APD中波红外探测器的设计与表征

制冷要求仍然是制约中红外探测器应用的主要因素。设计了一种异质pin结构的InSb雪崩光电二极管。采用宽禁带、低复合率的材料GaSb和InP形成异质结,并将I区设计成吸收、倍增层分离的雪崩区域。该异质结构有效地抑制了扩散电流,在300 K时,JAuger被显著抑制在大小为1×10^(-7) A/cm^(2)的水平。器件的主要限制是SRH复合和带对带隧穿。为了优化器件的性能,详细讨论了暗电流机理,证明了较低的杂质浓度有利于雪崩过程。在300 K时,吸收峰位于5.1μm附近,光响应度为2.16 A/W,其增益为5.7,比检测率为2.866×10^(9) cm·Hz^(1/2)·W^(-1)。

InAlAs浓度对In_(0.83)Al_(0.17)As/In_(0.83)Ga_(0.17)As红外探测器特性的影响

红外探测器的性能受内部结构各层掺杂浓度的影响,而倍增层掺杂浓度会明显改变器件的性能。为了降低暗电流,提高器件性能,采用三元化合物In_(0.83)Al_(0.17)As作为倍增层材料,借助仿真软件Silvaco详细研究了In_(0.83)Al_(0.17)As/In_(0.83)Ga_(0.17)As红外探测器的倍增层掺杂浓度对器件电场强度、电流特性和光响应度的影响规律。结果表明,随着倍增层掺杂浓度的增加,器件倍增层内的电场强度峰值增加,同时,器件的暗电流与光响应度减小。进一步研究发现,当倍增层掺杂浓度为2×10^(16) cm^(−3)时,器件获得最优性能,暗电流密度为0.62144 A/cm^(2),在波长为1.5μm时,光响应度和比探测率分别为0.9544 A/W和1.9475×10^(9) cmHz^(1/2)W^(−1)。

退火温度对基于Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)栅绝缘层的ZnO-TFTs性能的影响

具有高介电常数的Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)薄膜存在氧空位和陷阱缺陷,因此,使用Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)作为栅绝缘层的ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应和低的电学性能.为了解决这些问题,提高器件性能,本文采用射频磁控溅射制备了以Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)为栅绝缘层的ZnO-TFTs,同时,详细研究了300℃、400℃、500℃和600℃等退火温度对ZnO-TFTs性能的影响,研究结果表明,随着退火温度的升高,Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能先升高后降低,在退火温度为500℃时,Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能都得到了显著提高,电容密度从165 nF/cm^(2)升高到222 nF/cm^(2),开关比从103升高到105.

坚持社会科学期刊党性原则的几个问题

社会科学期刊是一种社会文化现象，它具有政治、文化、信息等基本属性。党性原则是根本性问题。坚持党性原则。

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In_(0.83)Al_(0.17)As倍增层对In_(0.83)Ga_(0.17)As/GaAs雪崩光电探测器的特性影响

倍增层对雪崩光电探测器内部载流子的碰撞电离至关重要,因此,采用三元化合物In_(0.83)Al_(0.17)As作为倍增层材料,借助器件仿真工具Silvaco-TCAD,详细探究了In_(0.83)Ga_(0.17)As/GaAs雪崩光电探测器的倍增层厚度及掺杂浓度对其内部电场强度、电流特性和电容特性的影响规律。研究表明,随着倍增层厚度的增加,器件的电场强度和电容呈减小趋势。同时,倍增层掺杂浓度的增大会引起电容和倍增层内的电场强度峰值增加。进一步研究发现,随着倍增层厚度的增加,器件的穿通电压线性增大,击穿电压先减小后增大,但倍增层掺杂浓度的增加会引起器件击穿电压的减小。此外,用电场分布和倍增因子的结合解释了器件穿通电压与击穿电压的变化。

锑基Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb红外探测器的研究进展

新型材料结构的设计是提高红外探测器性能的有效途径。锑基Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb作为红外光敏材料时结构稳定,且具有低暗电流、高温工作特性以及优越的光电转化效率,是研制高温工作红外探测器的理想材料。综述了基于锑化物Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb的研究进展,介绍了现阶段应用在典型单极势垒结构中的两种红外探测器性能,并对锑化物Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb探测器的发展进行展望。

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人生是多么不可思议,和6年前相比,如今的我已是'面目全非'。那时,38岁的我还是一个工作狂,努力想在工作上有所建树,有着几千年来中国人形成的朴素追求——封妻荫子,衣锦还乡。那时的我,还不明白生活的意义,直到远方的母亲突然住院。1国庆期间,车票难买。我的心思全在北京,自然没有提前订回家的车票。

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