期刊文献+
共找到21篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
我国IC产业现状发展前景及专用设备发展建议 被引量:2
1
作者 葛劢冲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第9期13-17,共5页
概述了国内IC产业现状、发展前景及其专用设备现状与发展前景,针对我国IC专用设备的现状,提出了发展国产IC专用设备和攻占市场主导地位的几点建议。
关键词 中国 IC产业 现状 发展前景 专用设备 投资规模 电子信息产业
下载PDF
晶圆键合技术与微电子机械系统新进展 被引量:3
2
作者 葛劢冲 赵晓东 《电子工业专用设备》 2004年第7期15-20,共6页
概述了晶圆键合技术穴WB雪和微电子机械系统穴MEMS雪的新进展。介绍了晶圆键合工艺、技术要求、应用选择以及对MEMS的作用;展示了MEMS制造技术和应用前景。
关键词 晶圆键合技术 绝缘体上硅 微电子机械系统 微光电子机械系统 晶圆级封装
下载PDF
微电子封装中芯片焊接技术及其设备的发展 被引量:17
3
作者 葛劢冲 《电子工业专用设备》 2000年第4期5-10,共6页
概述了微电子封装中引线键合、载带自动键合、倒装芯片焊料焊凸键合、倒装芯片微型焊凸键合等芯片焊接技术及其设备的发展 ,同时报告了世界著名封装设备制造公司芯片焊接设备的现状及发展趋势。
关键词 微电子封装技术 焊接设备 芯片焊接技术
下载PDF
国外双面对准曝光机的发展及其应用 被引量:6
4
作者 葛劢冲 《电子工业专用设备》 1997年第4期4-8,共5页
综述了国外近十多年来双面对准曝光机及其对准技术的发展,介绍了双面曝光机采用的红外对准技术和KarlSus、JBA、OAI、USHIOInc、Union、ElectronicVisionsCo等公司研制的双面曝光机性... 综述了国外近十多年来双面对准曝光机及其对准技术的发展,介绍了双面曝光机采用的红外对准技术和KarlSus、JBA、OAI、USHIOInc、Union、ElectronicVisionsCo等公司研制的双面曝光机性能及其用途;并预测了今后电力电子器件、微机械制造、传感器件、调节器等微小功能器件的广阔市场,为双面曝光技术的发展提供了良好的发展机会和潜在的应用市场。 展开更多
关键词 双面曝光 双面对准 曝光机
下载PDF
CMP系统技术与市场 被引量:2
5
作者 葛劢冲 《电子工业专用设备》 2003年第1期17-24,共8页
概述了CMP系统技术的发展历史、发展趋势以及在IC生产中的重要性,介绍了国外CMP设备主要制造厂家的设备型号和性能及CMP设备市场分布和需求,阐述了CMP系统技术的基础研究、关键技术和国内研究概况。
关键词 CMP系统 化学机械抛光 化学机械平坦化 市场前景 集成电路
下载PDF
光学光刻技术向纳米制造挺进
6
作者 葛劢冲 刘玄博 《电子工业专用设备》 2004年第3期22-26,共5页
概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技... 概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技术的前景。 展开更多
关键词 光学光刻 光学邻近效应校正 下一代光刻 纳米制造 优势与前景
下载PDF
拓展国产电子专用设备市场份额
7
作者 葛劢冲 童志义 《电子工业专用设备》 2002年第1期11-17,共7页
介绍电子专用设备国产化的历史、现状和展望 ,针对高新技术国产设备市场份额小而提出了拓展国产设备市场份额的几点建议。
关键词 电子专用设备 国产化 市场前景
下载PDF
第四届中国半导体封装测试技术与市场研讨会在成都圆满召开
8
作者 葛劢冲 《电子工业专用设备》 2006年第6期1-2,共2页
关键词 半导体封装 市场研讨会 测试技术 成都市 中国 高新技术开发区 行业协会 电子工业
下载PDF
国外半导体制造设备市场 被引量:5
9
作者 童志义 葛劢冲 《电子工业专用设备》 2005年第12期6-9,共4页
概述了国外半导体制造设备市场现状、市场总规模变化、分类设备市场,探讨了半导体制 造设备市场的发展趋势。
关键词 半导体制造设备 技术现状 设备市场
下载PDF
液晶显示器技术及其曝光设备(续) 被引量:3
10
作者 童志义 葛劢冲 《电子工业专用设备》 2002年第3期125-130,共6页
介绍了LCD器件类型和生产线概况及器件市场与发展现状 ,根据LCD器件对曝光设备的工艺特点 ,重点介绍了几种用于LCD制造的曝光设备 ,结合LCD器件目前的发展趋势 ,讨论了曝光设备面临的新课题。
关键词 液晶显示器 曝光设备 LCD器件 LCD市场 生产线 发展趋势
下载PDF
157nm光刻技术的进展 被引量:1
11
作者 童志义 葛劢冲 《电子工业专用设备》 2006年第2期13-17,52,共6页
概述了作为下一代光刻技术之一的157nmF2准分子激光光刻技术的进展及各公司157nm曝光设备的开发现状。介绍了157nm光刻中各种制约因素,如CaF2材料的双折射现象、真空环境的排气及污染控制、保护薄膜的选择、折反射光学系统的选择与设计... 概述了作为下一代光刻技术之一的157nmF2准分子激光光刻技术的进展及各公司157nm曝光设备的开发现状。介绍了157nm光刻中各种制约因素,如CaF2材料的双折射现象、真空环境的排气及污染控制、保护薄膜的选择、折反射光学系统的选择与设计及新型抗蚀剂的开发等问题随着时间的推进已基本得到解决。最后讨论了157nm光刻技术在45nm及以下节点器件图形曝光引入的可能性和采用浸液式157nm光刻进入32nm技术节点器件图形曝光的潜力。 展开更多
关键词 157 nm光刻 氟化钙材料 局部反射光斑 双折射 折反射光路 保护薄膜 污染控制 浸液式光刻
下载PDF
液晶显示器技术及其曝光设备
12
作者 童志义 葛劢冲 《电子工业专用设备》 2002年第2期73-78,共6页
介绍了LCD器件市场及发展现状、器件类型和生产线概况。根据LCD器件对曝光设备的工艺特点 ,重点介绍了几种用于LCD制造的曝光设备 ,结合LCD器件目前的发展趋势 。
关键词 液晶显示器 LCD器件 LCD市场 LCD生产线 发展趋势 曝光设备
下载PDF
向50nm拓进的光学光刻技术
13
作者 童志义 葛劢冲 《电子工业专用设备》 2001年第3期1-7,共7页
非光学下一代光刻技术的缓慢进展和国际半导体技术发展规划 (ITRS)的加速 ,使光学光刻肩负着IC产业的重任 ,进一步向亚波长图形领域进军。为此 ,人们开发了大量的光学光刻扩展技术。其中包括传统的缩短波长和增大数值孔径 ,以及为了扩... 非光学下一代光刻技术的缓慢进展和国际半导体技术发展规划 (ITRS)的加速 ,使光学光刻肩负着IC产业的重任 ,进一步向亚波长图形领域进军。为此 ,人们开发了大量的光学光刻扩展技术。其中包括传统的缩短波长和增大数值孔径 ,以及为了扩展最小间距线间图形的分辨力而提高部分相干性。通过这些途径 ,在 1 93nm曝光中实现了 >0 .80的数值孔径和0 .85的部分相干性 ,并将进一步向 1 57nm乃止 1 2 6nm过渡。此间 ,离轴照明 (OAI)、移相掩模(PSM)和光学邻近效应校正 (OPC)等K1因子将作为分辨力提高技术的核心 ,补充到光学光刻技术范畴。此外 ,光学光刻的扩展还将通过像场尺寸缩小和倍率增大的方法使步进扫描光刻机更好地支持并可望进入至少 70nm的技术节点 ,乃至 50nm的下一代光刻。 展开更多
关键词 光学光刻 50nm 光刻技术 技术节点 IC
下载PDF
制作亚50nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术 被引量:2
14
作者 Waikin Li Harum H.Solak +1 位作者 Franco Cerrina 葛劢冲 《电子工业专用设备》 2001年第4期37-40,44,共5页
极紫外光刻技术 (EUVL ,λ =1 3.4nm)是为小于 70nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术 (NGL)。在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外光刻系统中 ,极紫外光源是由电子存储环中的波动器产生 ,为极紫外干涉光刻 (EUV -IL)提供了瞬间空... 极紫外光刻技术 (EUVL ,λ =1 3.4nm)是为小于 70nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术 (NGL)。在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外光刻系统中 ,极紫外光源是由电子存储环中的波动器产生 ,为极紫外干涉光刻 (EUV -IL)提供了瞬间空间相干光源。其成像系统采用了一个洛埃镜干涉仪。用EUV -IL制作的高分辨力图形进行极紫外光刻的抗蚀剂特性研究。验证了用EUV光源的干涉光刻技术制作 1 9nm线 /间 (L/S)条纹图形 ,同时报告了采用EUV -IL技术开发亚 50nm密集线 /间图形的进展 ,并开始向制作 1 2 展开更多
关键词 极紫外光刻技术 图形传输 干涉光刻 光抗蚀剂 纳米光刻技术
下载PDF
超高压汞灯功率控制研究
15
作者 刘卫平 葛劢冲 《电子工业专用设备》 2012年第4期40-42,共3页
介绍了一种光刻机超高压汞灯电源,采用模拟功率反馈控制,有效提高了光源稳定性;重点阐述了恒功率控制的原理和主要电路结构。
关键词 超高压汞灯 恒功率控制 模拟乘法器 传感器
下载PDF
精密丝网印刷技术与设备
16
作者 孟晓华 葛劢冲 《电子工业专用设备》 2008年第9期53-54,共2页
概述了精密丝网印刷技术工艺和用途,介绍了设备的发展历程、结构特点及工作原理,预测了技术设备今后的发展趋势。
关键词 丝网印刷技术 设备结构 工作原理 发展趋势
下载PDF
补偿光学光刻工艺特性产生的场内套准误差 被引量:2
17
作者 T.G.Lee S.C.Moon +1 位作者 H.M.Lee 葛劢冲 《电子工业专用设备》 2000年第1期17-26,共10页
分别论述了曝光照明配合和隔离工艺产生的场内套准误差。在当前的光学工艺中 ,变形照明技术 (如环形照明、四极照明及小σ孔径照明技术 )被广泛用来拓展光学光刻的实用极限。同时 ,由于每种照明条件具有不同的光学特性 ,可使场内套准变... 分别论述了曝光照明配合和隔离工艺产生的场内套准误差。在当前的光学工艺中 ,变形照明技术 (如环形照明、四极照明及小σ孔径照明技术 )被广泛用来拓展光学光刻的实用极限。同时 ,由于每种照明条件具有不同的光学特性 ,可使场内套准变差。CMOS器件制造中隔离工艺也被视为产生场内套准误差的关键步骤 ,来自热循环和各种类型膜的圆片应力可诱发这种误差。并研究了照明条件配合、隔离模式、场氧化温度、厚度等的效应。通过曝光场比例值进行场内套准误差补偿。 展开更多
关键词 场内套准 变形照明 隔离工艺 补偿光学光刻工艺
下载PDF
0-30μmi线光刻的精确套准控制
18
作者 Keun-YoungKim 葛劢冲 《电子工业专用设备》 1999年第4期42-46,共5页
由掩模、步进机、光刻工艺和计量仪器产生的误差影响着光刻套准。为此,推出一种检查掩模自身精度的新方法,它能为圆片加工提供更实用的基准,并可反映出其它误差量。研究表明,掩模厚度是决定掩模上图形位置精度的一个关键因素。衬底越厚... 由掩模、步进机、光刻工艺和计量仪器产生的误差影响着光刻套准。为此,推出一种检查掩模自身精度的新方法,它能为圆片加工提供更实用的基准,并可反映出其它误差量。研究表明,掩模厚度是决定掩模上图形位置精度的一个关键因素。衬底越厚,自身的畸变越小,掩模制作中连续加工引起的变形越小。尽管厚衬底掩模的像场几乎比薄衬底大1 倍,但6-35 m m 厚度石英衬底掩模的置位图形比2-29 m m 厚度的更准确。离轴照明(OAI) 是影响套准的另一原因,它可引发镜头像差,通过芯片倍率和旋转控制可以补偿这种误差。接触孔制作的套准控制非常重要,但相当困难,多层构造的接触孔套准控制更难。目前试制了一种分别控制x、y 向套准的方法。 展开更多
关键词 套准控制 光刻 i线光刻 重合度 掩膜
下载PDF
监控对准采用的补偿对准测量法
19
作者 David Ziger Pierre Leroux 葛劢冲 《电子工业专用设备》 2000年第3期36-43,52,共9页
补偿对准测量方法 (CALM )是视觉测量水平向、垂直向、旋转偏差及倍率误差等步进机对准可校正因素的一种新技术。CALM技术是根据已曝光在抗蚀剂中的线条间隙图形在显影之前 ,通过准确偏移光栅 1/2间距再次曝光 ,然后完全除去已曝光部分... 补偿对准测量方法 (CALM )是视觉测量水平向、垂直向、旋转偏差及倍率误差等步进机对准可校正因素的一种新技术。CALM技术是根据已曝光在抗蚀剂中的线条间隙图形在显影之前 ,通过准确偏移光栅 1/2间距再次曝光 ,然后完全除去已曝光部分的原理建立的。采用这一原理已制作了直观显示可校正因素的试验片。CALM读数与盒中盒 (BB)测量比较的测算 3σ值精度为 0 0 3 μm。CALM读数与BB测量之间的线性度保持在± 0 13 μm误对准范围。采用此技术允许更频繁地进行基线校正。 展开更多
关键词 视觉测量法 对准 基线校正 补偿对准测量法
下载PDF
下代光刻设备的再次选择
20
作者 DeJule,R 葛劢冲 《电子工业专用设备》 1999年第2期60-64,共5页
1引言一年半以前,国际SEMATECH财团将光学光刻的接班技术选择缩小到4种:极紫外(EUV)、离子投影光刻(IPL)、限角散射投影电子束光刻(SCALPEL)和x射线光刻技术。已证实,各种技术均具有70nm以下特征... 1引言一年半以前,国际SEMATECH财团将光学光刻的接班技术选择缩小到4种:极紫外(EUV)、离子投影光刻(IPL)、限角散射投影电子束光刻(SCALPEL)和x射线光刻技术。已证实,各种技术均具有70nm以下特征尺寸的作图能力。然而,根据下代光刻... 展开更多
关键词 光刻设备 光学光刻 X射线 半导体器件
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部