GaSb纳米线的CVD可控制备及其光学表征

采用CVD法合成Ga Sb纳米线,并分析生长时间对其长度的影响,随后对其进行光学表征.实验过程中,分别采用喷金法和滴金法对硅片进行预处理,再置于相同条件下制备Ga Sb纳米线;之后对其进行表征分析,根据扫描电子显微镜(SEM)表征结果证实,两种方法制备的纳米线都满足VLS生长机制.且发现Ga Sb纳米线的生长长度,可以通过改变其生长时间来进行控制.通过该纳米线的透射电子显微镜图(TEM)、X射线衍射图(XRD)等结构表征,表明该纳米线为结晶品质优良的立方闪锌矿结构;同时,从Ga Sb纳米线的拉曼光谱(Raman)及光致发光谱(PL)可以反映该纳米线具有优良的光学性质.由此证明,采用CVD法制得的纳米线光学性质优异,且可以实现可控制备.