FED器件的支撑结构设计和实现

使用墙式结构作为FED器件内的支撑 ,使用Algor专用力学有限元软件对器件各种结构的力学特性进行了数值计算 ,同时参照器件的电学特性后确定了支撑墙的分布密度、安装位置和装配误差等工艺参数 ,并完成了现有器件条件下的工艺实现 ,得到理想的结果。

加入支撑墙的FED的电场分布及电子轨迹数值模拟

FED内部真空中的电场和电子运动受到支撑结构的影响 ,为此采用了有限元法计算带有介质支撑墙的FED电场分布 ;采用龙格 库塔法计算该空间电子轨迹。并且在考虑了介质支撑墙上的二次电子发射之后 ,定性的分析了空间电场电子轨迹及墙上的电荷积累情况。得出了支撑墙对FED电子轨迹影响的数值结果 ,对器件的设计提出了建议。

用于聚焦型场发射阵列的Ni-SiO_(2)透明电阻薄膜

为用自对准技术制作聚焦型发射阵列 (FFEA)的聚焦极 ,要求FFEA的电阻层能透过光刻用近紫外光。为此提出用共溅射法制作Ni SiO2 金属陶瓷电阻层。研究结果表明 ,当适当调整Ni和SiO2 成份比例 ,可得到既能满足方阻要求又不妨碍光刻的电阻层。同时对此电阻层的电镜微观形貌 ,能谱成份分析 ,方阻及透光率进行了讨论。最后 ,给出一个利用此电阻层制作场发射聚焦电极的实例。

FED中支撑对电场分布及电子轨迹的影响

在场致发射显示器 (FED)中加入支撑会影响真空室内部电场分布和电子运动 ,从而导致二次电子发射和电荷积累效应。为比较不同发射结构中这种负面影响的大小 ,对3种常见阴极模型中电子运动轨迹进行了模拟 :采用有限元法计算带有介质支撑墙的 FED电场分布 ,采用 Runge- Kut-ta法计算该空间电子轨迹 ,得出了支撑墙对 FED电子轨迹影响的数值结果。模拟结果显示 ,在三极型和四极型 (聚焦型 )结构中 ,支撑的引入不可避免地会带来二次电子发射和电荷积累效应 ;与之相反 。