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8~18GHz PIN管单刀双掷开关
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作者 胡五一 叶锡廉 +1 位作者 葛德芳 沈柏林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期107-107,共1页
为满足用户的要求,南京电子器件研究所已研制成功一种8~18GHz PIN管单刀双掷开关。电路采用全并联PIN管结构和MIC的方法在8~18GHz频带内获得较小的插损、高隔离度、高开关速度、大功率容量和易于批量生产的微波开关元件。所用的PIN管... 为满足用户的要求,南京电子器件研究所已研制成功一种8~18GHz PIN管单刀双掷开关。电路采用全并联PIN管结构和MIC的方法在8~18GHz频带内获得较小的插损、高隔离度、高开关速度、大功率容量和易于批量生产的微波开关元件。所用的PIN管芯采用台式结构,二氧化硅钝化保护,Ti-Mo-Ti-Au多层金属作为欧姆接触,以降低正向微分电阻并保证可靠性。开关的同轴接头为SMA。 展开更多
关键词 PIN管 单刀双掷开关 开关
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