疏编织漏泄同轴电缆电磁机理的研究

本文是对疏编本文是对疏编织漏泄同轴电缆电磁机理的研究,应用导波理论和传输线理论探讨了这种电缆的漏泄(耦合)特性、电磁场结构及传播模式,建立了表征电缆漏泄(耦合)量大小的参数——表面转移阻抗的理论模型,并在电缆的特性参数和电缆的结构参数之间建立了联系.

编织型同轴电缆转移阻抗的研究

在研究表征同轴电缆编织外导体屏蔽效率或泄漏量大小的参数——转移阻抗时,由转移阻抗的定义并利用电磁理论推导了转移阻抗的解析表达式。在考虑所有的电磁耦合机理的基础上,推导了转移阻抗的数值表达式,此数值表达式与电缆编织屏蔽层的结构参数相联系。最后计算了几种编织型同轴电缆的转移阻抗,并与测量值进行比较,验证了数值表达式的有效性。

编织型同轴电缆的编织层参数与屏蔽特性的研究

研究了编织型同轴电缆编织层的结构参数与电缆屏蔽特性的关系，并在描述编织层结构的参数和描述电缆屏蔽特性的参数－表面转移阻抗之间建立了联系，同时作出了这些关系的二维及三维曲线，从而为编织型同轴电缆的设计、生产和使用提供帮助。

高分子绝缘材料能带结构的探讨

本文总结了高分子绝缘材料的光电导及电击穿的大量实验研究,提出了高聚物的能带模型。该模型认为聚合物中不存在长程连续的导带。聚合物的导带只能以局域态的形式存在。聚合物中的电子迁移主要是眺跃真空势垒的电子跳跃电导。该模型可以很好的解释光电实验及自由体积击穿理论。

内部气隙在低气压下局部放电的电脉冲频谱分析

有关低气压内部局放特性研究很少,本研究在排除了低气压下表面放电、电晕等干后,采用带频带谱测量技术,测量了低气压下内部放电脉冲信号的频谱。结果表明:内部局放电脉冲频谱是离散谱,包含大量高频分量,其幅值随频率增加而减少,随内部气压的降低或外施电压的增加.内部局放电脉冲信号中包含的高频分量增多,最高达100MHz以上。频谱分析易于分辨干扰信号等优点。

用TSC谱图研讨ZnO压敏陶瓷材料脉冲后的衰退

用热刺激电流(TSC)谱图分析法对氧化锌(ZnO)陶瓷材料的极化机理及通过对比实验对脉冲衰退机理进行了分析,讨论了热离子松弛极化、夹层极化,它们对材料损耗的影响以及脉冲电流作用引起材料一些性能参数的变化,对实验中发现的ZnO材料热释电现象给予研讨。

硅凝胶的耐放电性能研究

硅橡胶等硅有机材料以其优良的耐高低温性能、优异的耐高低温性能、耐臭氧、耐光辐照以及适应各种气候条件的优良电绝缘性能广泛地被应用于电工技术领域中。室温硫化硅凝胶(RTV)则是近几年来新发展的一种硅有机产品。它虽然价格昂贵但由于加工工艺方便、电气性能优良,所以已被用于卫星、火箭等空间飞行物的有关设备上。当然,这种以—(Si—O—Si)—为主链的高分子化合物也存在着机械强度差。

低气压下聚合物绝缘材料内部局部放电能量特性的研究

本文研究聚合物绝缘材料内部介质气道处于低气压时内部局部放电的视在放电能量特性。研究表明随内部气压的降低(1atm～0.2atm)及外施电压的增加而显著增大,有意义的是视在放电能量J和放电量Q具有较好的线性关系,内部气压的变化仅改变J～Q直线的斜率,这说明在本文研究的内部气压范围内,降低内部气压使内部局部放电更容易发生和发展。消耗相同的放电能量却产生更多的放电电荷,这对聚合物绝缘材料的放电老化起加剧作用,危害性增大。此外本文初步探索了低气压下的局部放电机理。

螺旋外导体漏泄同轴电缆的电磁理论及转移抗阻的研究

针对新型螺旋线外导体漏泄同轴电缆所作的理论和实验的探索，系从ＭＡＸＷＥＬＬ方程组出发，借助辅助矢量位推导了各个场分量的分布，获得了描述此电缆漏泄量大小的有效参数──表面转移阻抗的数解值；并通过实验，验证了表面转移阻抗计算的可行性。

局部放电的数学模型和频域特性

本文建立了描述电介质材料内部局部放电动态过程的数学模型.首先采用Laplace 变换和数值计算法得到了放电电脉冲的时域特性.由于表达式中不少参数是时间的隐函数,本文运用非线性拟合和数值计算,又从放电脉冲的时域特性获得了相应的频域特性,计算结果与本文采用宽频带频谱测试所得的放电脉冲频域特性基本相符,且变化趋势相同.证实了所建立的局部放电数学模型是合理的,以此研完局部放电的频域特性及其动态过程是有效的.

新型螺旋漏泄同轴电缆主要参数的研究

运用模拟电荷法和保角变换法相结合求解了新型的螺旋漏泄同轴电缆的电容。借助Ｈｅｒｔｚ位函数推导了这种电缆的电磁场场量，并建立一个模式方程对电缆的传播常数，实现了数值计算，进而获得了描述这种电缆泄漏量大小的参数─—转移阻抗的数值解，最后通过实验验证了理论计算结果。