TiB_2-BN-AlN复相陶瓷的结构与性能研究

采用不同TiB2、BN、AlN体积配比制备TiB2-BN-AlN复相陶瓷,研究了TiB2、BN、AlN含量的变化对复相陶瓷烧结致密度、组织结构和性能的影响。结果表明:随着BN含量的增加,TiB2-BN-AlN复相陶瓷的致密度和抗弯强度降低,电阻率升高。另一方面,在空气中AlN颗粒表面易水解产生AlOOH和NH3,在热压烧结过程中,AlOOH会分解成Al2O3,同时Al2O3与AlN发生反应生成AlON,使得物质在AlN晶粒之间扩散,从而提高复相陶瓷的致密度。

高速摄像机观察中高压陶瓷电容材料的击穿现象

使用专业高速摄像机,在线观察研究了中高压陶瓷电容材料在电场作用下被击穿破坏过程。结果表明,中高压陶瓷电容材料的击穿通常发生在0.17～0.25 ms。在电场强度逐渐增强的过程中,还可以观察到陶瓷样品的放电、气体放出以及陶瓷介质的燃烧等现象。击穿前出现的放电频率越高,材料的击穿电场强度越低,而气孔率的减小有助于材料击穿电场强度的提高。