化学沉积法低温生长锰钴镍薄膜结晶性及红外椭偏光谱研究

使用化学沉积方法，在600℃温度下，成功制备锰钴镍（MnxCoyNi3-x-yO4（MCN）薄膜．传统的固熔烧结工艺合成MCN材料需要的温度条件约为1050—1200℃，这一温度相比，本文的方法使合成温度降低了许多．随着退火后处理温度从600℃升高到900℃，MCN薄膜的晶粒尺寸大小从20nm增大到50nm．同时还利用红外椭偏光谱测量获得MCN薄膜的介电常数和吸收系数．

PMNT薄膜可见-红外光学性质的研究

通过对不同组分的铌镁钛酸铅(PMNT)薄膜的紫外-可见透射光谱以及红外椭圆偏振光谱的分析,利用Tauc-Lorentz(T-L)+Cauchy色散关系和经典中红外色散关系,得到了该材料在可见和中红外区的光学常数,发现在可见和中红外区,薄膜的折射率随着PT(PbTiO3)含量的增加而增大,但是薄膜的光学禁带宽度随之而减小.

磁控溅射Cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜组分的可控生长

采用双靶位共溅射方法制备出组分可控的Cd1-xZnxTe薄膜样品,组分偏离小于0.13。采用XRD对不同生长温度制备的样品进行了结晶性分析,研究了薄膜结晶与生长温度的关系。采用AFM、SEM对样品进行了表面和界面分析,表明薄膜表面平整,界面清晰。对不同组分的Cd1-xZnxTe样品进行了透射光谱测量,得到了光学性质随组分的变化规律,并拟合得出了这些样品的带隙和组分。