激光直接印版的研制及应用

目前,绝大多数小胶印机的版材是氧化锌版和PS版。其制版工艺,对氧化锌版为:(1)用激光印字机出纸样,(2)拼版,(3)静电制版,(4)修版,(5)固版。即获得可上机印刷的印版。这种版的优点是经济,简单,但是耐印力低,印刷质量低;对PS版其制版工序为:(1)由激光照排机或激光印字机出阳图软片,(2)拼版,(3)晒版,(4)显影,(5)定影,(6)烘干,即得到可上印刷机印刷的印版。这种版质量好.耐印力高,但是价格贵,制版费用也高。两种版的共同特点是制版周期长,工艺复杂。 另一方面,随着科学技术的发展和社会需要量的增加,电子计算机排版技术获得了突飞猛进的发展,远远走在了前面。同时,各种型号。

SiOx包装阻隔薄膜的发展现状及其制备方法

S iOx阻隔薄膜具有优异的阻隔性,并且光透过性和微波透过性好,在阻隔包装领域的应用前景广泛,介绍了S iOx包装阻隔薄膜的制备方法:物理气相沉积,等离子体聚合及大气下等离子体聚合等。

氧化硅阻隔膜的制备及对水蒸气的阻隔特性研究

利用强流电子束蒸发技术在厚度为 12 μm的PET基材上制备了阻隔性能优良的高阻隔SiOx薄膜。所制备的SiOx薄膜无色透明 ,与基材附着牢固 ;PET基材上的SiOx薄膜厚度不同 ,对水蒸气的阻隔性能不同。膜厚为 340～ 32 0 0nm时 ,阻隔性能可提高 1～ 32倍。

采用连续、脉冲等离子体合成低表面能薄膜

采用连续与脉冲射频等离子体合成低表面能薄膜SiCxOy。通过对薄膜性能的表征,发现等离子体放电模式影响聚合膜的化学结构、表面成份、表面能数值大小,认为采用脉冲射频等离子体更易合成低表面能聚合物。

电子浆料用超微细玻璃粉的等离子体改性

以六甲基二硅氧烷为单体,利用高频等离子体在超微细低熔磷酸盐玻璃粉体表面聚合硅氧聚合物包覆薄膜。用水和粉体压片之间的接触角变化表征了等离子体工艺参数对粉体表面能的影响。结果表明改性后粉体配制电子浆料的细度、黏度、流变特性提高显著。改性后可以改变或控制超微细粉体的表面能大小,从而可调节电子浆料的流变性和印刷适性。

射频等离子体沉积非晶碳氢薄膜及其阻隔性能

采用射频辉光放电等离子体化学气相沉积系统,,以甲烷和氩气作为工作气体在PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)片和玻璃片基上沉积了非晶碳氢薄膜,利用傅立叶变换红外光谱(FTIR)对碳氢薄膜的结构进行研究,并且通过透水蒸汽相对比较实验检测了PET上沉积碳氢膜的阻隔性能,详细讨论了沉积工艺参数对碳氢薄膜结构和阻隔性能的影响。实验结果证明,沉积的薄膜越厚,碳氢膜的含量越高,阻隔性能越好,沉积碳氢膜的PET阻隔性比原始PET都有明显提高,当膜厚达900nm时,阻水蒸汽透过率可提高7倍。

聚合单体对制备SiO_x高阻隔性薄膜性能的影响

论述在食品包装保质保鲜方面,对普通包装基材PET、BOPP等表面采用等离子体化学气沉积一层纳米级透明的SiOx层高阻隔层。实验采用13.56MHz的射频等离子体装置,分别以四甲基二硅氧烷(TMDSO)和六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等包装基材上沉积硅氧阻隔膜。比较了不同单体在制备氧化硅阻隔膜时各种工艺参数影响。通过傅立叶红外谱仪(FTIR)分析,扫描电子显微镜(SEM)表征,研究沉积膜的化学组成和结合状态;采用透湿测试仪测试薄膜的透湿性能,研究工艺参数的变化、表面的结构变化、形貌改变等对薄膜的阻隔性能影响原因。

中频DBD等离子体聚合马来酸酐薄膜的研究

用马来酸酐乙醇溶液为单体,采用脉冲介质阻挡放电(DBD)合成聚马来酸酐薄膜,研究了放电的不同频率,聚合的区域对聚合薄膜性能的影响。通过对薄膜性能的表征:接触角、红外光谱、表面形貌、薄膜厚度,发现在频率为80 kHz,气压50 Pa能聚合表面连续致密的聚马来酸酐薄膜,薄膜的生长速率为8 nm/min。

电子束蒸发镀铬制备凹印版材耐磨层的研究

利用电子束蒸发镀技术在铜表面沉积铬层,并对制备的工艺,涂层的性能行了初步研究。结果显示,采用低电压(6kV)和低束流(50mA、60mA))蒸镀时,沉积速度适中,所得的膜层呈银白色且光亮,内应力较小,无开裂现象,镀层厚度均匀,硬度较高,且与基体结合良好。适当控制电子枪的工艺参数和烘烤时间可以增加薄膜与基体的结合力。

DBD等离子体枪聚合SiOx薄膜用于金属表面防腐性能研究

用高频介质阻挡放电(DBD)等离子体枪,以六甲基二硅氧烷为单体,在大气下于铸铁表面聚合S iOx薄膜。采用红外光谱(FTIR)分析了等离子体功率对聚合膜的结构和沉积速度等影响、SEM对试样表面进行观察。实验发现铸铁表面沉积S iOx薄膜呈现致密纳米棒状交联结构,并随着厚度的增加粒子间出现团聚现象。在0.5%NaC l溶液中的腐蚀实验表明,S iOx薄膜能显著的提高铸铁的防腐性能,而通过在5%NaC l溶液中进行的动电位极化特性曲线计算得到,铸铁的腐蚀速率为4.72E-3mm/a,约为纯铸铁的1/15。

等离子体技术在包装工业中的应用及其前景

等离子体科学和技术是一门与多门学科和技术相关的学科和技术 ,它的许多成果 ,在包装业中已得到了广泛应用。文中将等离子体技术在国内外包装行业中应用现状、应用前景 ,现代包装业发展以及对等离子体科学技术提出的新要求。在实验室这方面的工作情况和结果 ,做比较详细的报告。

射频等离子体聚合SiO_x薄膜的研究

在射频等离子体放电条件下,以六甲基二硅氧烷(Hexamethyldisilone,HMDSO)为单体,氧气为反应气体,在PET薄膜及载玻片上聚合SiOx薄膜。通过红外光谱(FTIR)分析了工作压强、功率、单体氧气比、聚合时间等对聚合薄膜的结构和沉积速度的影响;通过扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌;通过表面轮廓仪测试了薄膜厚度,计算了沉积速率并对薄膜的均匀性做了研究。在38℃恒温水浴箱中进行的水蒸汽阻隔实验表明,PET薄膜的阻隔性能得到有效的提高。

等离子体制备低表面能薄膜性能研究

以六甲基二硅氧烷为反应单体,采用连续与脉冲射频(RF)等离子体两种放电模式聚合低表面能薄膜, 研究了连续放电不同功率、脉冲放电不同脉冲宽度和间隔对聚合薄膜性能的影响．通过对薄膜性能的表征:接 触角的测量,红外光谱、X光电子能谱和原子力显微镜的结构和表面分析,发现在低输入功率和脉冲等离子体 大占空比条件下,可得到表面能低、疏水性能好、表面结构可控的低表面能薄膜．

四甲基硅氧烷制备SiO_(x)低表面能薄膜

采用13.56MHz的射频等离子体聚合装置,以四甲基二硅氧烷(TMDSO)为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等基体材料上沉积氧化硅低表面能薄膜。在薄膜的制备工艺研究中,通过改变放电方式、工作压强、放电功率、沉积时间、氩气和TMDSO单体的比例等参数,研究氧化硅薄膜的沉积速率;通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)等分析了沉积膜的化学组成和结合状态;利用接触角测定仪测量薄膜的接触角,从而计算薄膜的表面能,最终从结构分析上研究影响S iO2薄膜低表面能内在因素。

两种电极结构等离子体发生器的静态电场计算

鉴于高气压下的沿面介质阻挡放电发生器在工业应用以及等离子体电磁屏蔽技术领域的重要应用前景,在梳状电极结构的沿面介质阻挡放电发生器基础上设计了两种电极结构的等离子体发生器,并通过边界元方法得到两种结构类型沿面放电发生器的静态场强分布。从计算结果来看,相比较于梳状电极结构的沿面放电发生器,改进后的放电发生器在空间的分布更有利于在高气压下产生较厚的等离子体层。实验结果表明:这两种结构形式的发生器放电效果明显优于梳状电极结构的发生器。

用等离子体技术制备凹印版材耐磨层

用电镀法制备凹印版材存在环境污染严重、成本高等缺点,为此研究用等离子体表面镀膜层替代电镀法制备凹印版材的新工艺。利用等离子体磁控溅射、多弧离子镀和离子束辅助沉积技术在镍基表面制备了硬质铬薄膜。研究表明,本法制备的薄膜表面致密均匀,中间有过渡层的离子束辅助沉积层表面显微硬度为800～1100HV,磁控溅射的为300～400HV,多弧离子镀的为600～800HV,多弧离子镀和离子束辅助沉积层表面显微硬度接近于电镀法(700～1100HV)。划痕试验表明,制备的薄膜与基体结合力均在5N左右,凹版电子束辅助沉积铬后表面光滑,网点线条清晰,粗细均匀,可替代电镀法凹印版材。

离子源辅助电子束沉积凹印版耐磨层

针对凹印版电镀存在的污染和高能耗,采用射频感应偶合(ICP)离子源辅助电子束沉积硬质铬耐磨层,通过控制离子源参数和加入过渡层来提高薄膜与基体的结合力和显微硬度。利用扫描电镜、原子力显微镜、显微硬度计、划痕仪、表面轮廓仪,摩擦磨损仪对膜层的组织结构和性能进行了研究,探讨了在薄膜沉积过程中,离子源工艺参数对薄膜界面结合机理,组织结构和性能的影响。

RF等离子体聚合类聚氧化乙烯(PEO-like)功能薄膜研究

采用射频等离子体,以乙二醇二甲基醚(Ethylene Glycol Dimethyl Ether)为聚合单体,用氩气作为工作气体,合成类聚氧化乙烯(PEO-like)官能聚合物。实验采用连续和脉冲射频等离子体两种放电模式聚合PEO功能薄膜,研究了等离子体放电参数:等离子体放电功率、工作气压、放电模式(连续或脉冲)和聚合时间对聚合物表面结构、官能团含量以及表面特性等影响。利用接触角测试仪、表面张力仪、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、膜厚仪和X-射线光电子能谱(XPS)等多种手段对聚合薄膜的组成、结构和性能进行了表征。结果表明,较小的功率以及较长的脉冲条件下有利于EO基团的形成。

高气压脉冲DBD等离子体聚合羧基功能薄膜的研究

在40 kHz脉冲介质阻挡放电(DBD)产生等离子体,以丙烯酸为单体,在2000 Pa的高气压下,聚合带羧基的功能薄膜。采用接触角测试仪(WCA)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、X光电子能谱(XPS)研究了占空比对沉积薄膜化学结构、表面性能的影响。实验得到,中频脉冲DBD放电在高气压下制备的薄膜官能团含量较高;结果同时表明薄膜的性能受脉冲放电占空比的影响较大,占空比越小,薄膜的化学结构与单体更相近,官能团密度越多,但薄膜的稳定性较差。

射频等离子体自偏压及其对聚合成膜的影响

通过实验分析了射频等离子体自偏压的产生及与电子密度、电子温度的关系和对聚合成膜质量的影响并探讨了其机制,指出产生自偏压可明显改善等离子体聚合成膜质量,这是由于自偏压提高了等离子体中电子温度和电子密度的结果。在直接利用等离子体进行聚合反应制备薄膜时,应根据装置条件选择合适的自偏压值。