超深亚微米IC的宇宙射线辐射软失效研究

辐射引起的软失效一直是影响半导体可靠性的一个重大问题。特别是宇宙射线引起的在地球表面的高能中子,由于其特有的高穿透性很难有效屏蔽防护。介绍了其造成半导体器件软失效的失效机理,并利用加速软失效测试模型分别对90,65和45 nm工艺的随机静态存储器的软失效率进行了分析,研究了该类中子造成的软失效率的影响因素及相关规律。据此预测了更高工艺技术产品的中子软失效率,在为芯片设计和制造阶段就对中子辐射可靠性的防护提供了一定的参考和依据。

产品可靠性测试失效的预分析

产品可靠性测试的失效分析是半导体失效分析的重要也是极具挑战性的部分。而物性失效分析前的预分析(包括电性失效分析)又是整个产品可靠性失效分析中的关键步骤。充分和合理的预分析是提高物性失效分析成功率的重要保障。本文主要根据不同的产品可靠性测试的失效类型和机理来介绍常用的预分析方法和手段,并通过具体的实例图片来阐述预分析的重要作用。将预分析融合于产品可靠性失效分析中,将取得事半功倍的效果。

VLSI电迁移效应及自制型电迁移测试系统

本文首先针对半导体可靠性测试项目——电迁移的基本原理、可靠性问题、电迁移效应的防护措施及失效判定作概括性的介绍。第二部分主要介绍自制电迁移自动测试系统开发的目的,并比较国外进口电迁移自动测试系统的效率,最后以实验证明自制电迁移自动测试系统的性能和功能可以取代进口的同类产品,达到降低企业成本及节省产品验证时程的目的。