用于宽波段红外探测的InAs/GaSbⅡ型超晶格结构光学性质研究

InAs/GaSbⅡ型超晶格因其特殊的能带结构及成熟的材料生长技术,被视为第三代红外探测器的优质材料。本文介绍了长、短波红外探测用的InAs/GaSbⅡ型超晶格探测器结构的光学性质,对比超晶格和衬底的拉曼光谱,指认了结构中存在的主要拉曼振动模式,分波段光致发光谱揭示了器件存在近红外和远红外双波段特性。通过反射光谱、光电流谱以及宽波段红外透射光谱,表征了短波红外和长波红外的明显吸收特性,合理解释了基于InAs/GaSbⅡ型结构在近、中、远红外波段的探测功能。研究结果可为研制基于InAs/GaSbⅡ型超晶格的双/多/宽波段红外探测器的结构设计和机理分析提供指导。