纳米SiO_2包覆提高填充方钴矿热电材料热稳定性

采用熔融结合放电等离子体烧结制备了单相Ba0.3In0.2Ni0.05Co3.95Sb12块体材料,并用湿化学包覆处理方法制备了纳米SiO2包覆的Ba0.3In0.2Ni0.05Co3.95Sb12/SiO2纳米复合材料,重点研究了两种（Ba,In）双原子填充方钴矿基块体材料在300-723-300K范围热循环2000次过程中其显微结构、化学成分和热电性能的演变特征.结果发现,纳米SiO2包覆可以显著提高（Ba,In）双原子填充方钴矿块体材料的热稳定性,单相Ba0.3In0.2Ni0.05Co3.95Sb12块体材料晶界处的显微结构和化学成分发生显著变化,Ba0.3In0.2Ni0.05Co3.95Sb12/SiO2纳米复合材料几乎没有影响,纳米SiO2起着稳定晶界和抑制晶内元素扩散与挥发的作用.热循环过程中,两种材料在300和500K时的综合热电性能ZT值相近,变化很小;800K时,单相块体材料的ZT值呈逐渐降低趋势,纳米复合材料由于受热导率的复杂变化影响其ZT值,随淬火次数增加而逐渐增大,淬火1800次时ZT值达到1.12,甚至高于未淬火的Ba0.3In0.2Co3.95Ni0.05Sb12/SiO2纳米复合材料（1.08）和淬火1800次后的单相Ba0.3In0.2Co3.95Ni0.05Sb12块体材料（1.10）的ZT值.

薄型化背光源顶白形成机理探讨及改善

介绍了背光源顶白不良,探讨了顶白的形成机理。研究发现表面光滑反射片对导光板网点间留白区域的挤压是产生顶白的根本原因。由此提出通过改善背板局部凸起高度和增加反射片粗糙度来改善顶白。结果表明:顶白发生率随背板局部凸起高度降低和反射片表面粗糙度增加而明显降低。控制模具凸棱厚度可调整回压量,进而降低背板局部凸起高度。模具凸棱厚度为0.05mm时,背板局部凸起高度均值由无回压时的0.21mm降低至0.11mm,加速试验条件下对应顶白发生率由50%降低至18.7%;涂布不同大小粒子可调整反射片表面粗糙度。当反射片涂布Bead粒子径为40μm,对应粗糙度为6.29μm时,并搭配段差回压后背板,改善后背光源在加速试验条件下无顶白发生。同时,经光学、老化及振动测试,改善后背光源未发现其它相关不良。

大尺寸TFT-LCD GOA Channel CD管控方案的研究

随着GOA(Gate On Array)技术的不断发展,GOA技术在TFT-LCD行业,尤其在窄边框TV显示屏上的应用也愈来愈频繁,但是由于GOA驱动电路工艺的不稳定性和复杂性,可能会导致显示不稳定的问题,同时随着TV市场需求的日益增长,GOA产品的工艺稳定性对于客户端的品质表现显得十分重要。