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基于双基区晶体管的负阻特性静态随机存储单元电路的设计
1
作者
罗贤亮
董晨民
王永顺
《电脑知识与技术》
2010年第3X期2251-2252,共2页
双基区晶体管是一种硅基三端压控型负阻器件,它的Ic—Vbe曲线具有双稳态特性。利用双基区晶体管的负阻、高速特性构成的静态随机存储电路,结构简单、器件数量少、噪声容限大抗干扰能力强、速度快。将4v时钟信号作为器件的驱动电源,降低...
双基区晶体管是一种硅基三端压控型负阻器件,它的Ic—Vbe曲线具有双稳态特性。利用双基区晶体管的负阻、高速特性构成的静态随机存储电路,结构简单、器件数量少、噪声容限大抗干扰能力强、速度快。将4v时钟信号作为器件的驱动电源,降低了电路功耗。
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关键词
双基区晶体管
静态随机存储器
负阻器件
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职称材料
题名
基于双基区晶体管的负阻特性静态随机存储单元电路的设计
1
作者
罗贤亮
董晨民
王永顺
机构
兰州交通大学电子与信息工程学院
出处
《电脑知识与技术》
2010年第3X期2251-2252,共2页
文摘
双基区晶体管是一种硅基三端压控型负阻器件,它的Ic—Vbe曲线具有双稳态特性。利用双基区晶体管的负阻、高速特性构成的静态随机存储电路,结构简单、器件数量少、噪声容限大抗干扰能力强、速度快。将4v时钟信号作为器件的驱动电源,降低了电路功耗。
关键词
双基区晶体管
静态随机存储器
负阻器件
Keywords
DUBAT
SRAM
negative resistance device
分类号
TN322 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于双基区晶体管的负阻特性静态随机存储单元电路的设计
罗贤亮
董晨民
王永顺
《电脑知识与技术》
2010
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