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数字经济时代下云南省小农户与数字农业发展衔接的路径研究
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作者 董欣月 《山西农经》 2023年第20期50-52,共3页
数字经济是继农业经济、工业经济之后的主要经济形态,数据作为关键要素,以现代信息网络为主要载体,以信息通信技术融合应用、全要素数字化转型为重要推动力,促进公平与效率更加统一的新经济形态。小农户是我国农业生产的重要主体,他们... 数字经济是继农业经济、工业经济之后的主要经济形态,数据作为关键要素,以现代信息网络为主要载体,以信息通信技术融合应用、全要素数字化转型为重要推动力,促进公平与效率更加统一的新经济形态。小农户是我国农业生产的重要主体,他们使用简单、落后、低效率的生产工具,运用世代相承的生产技术与方法进行农业生产。小农户与数字农业发展的自然衔接,是加快农业现代化和农业高质量发展的重要举措之一。在数字经济新时代,促进小农户与数字农业发展有机衔接成为很多学者的关注点。文章通过对云南省现阶段小农户发展中的问题进行分析,提出相关对策建议促进小农户衔接数字农业发展。 展开更多
关键词 数字经济 小农户 数字农业
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ZnX3(OH)6Cl2(X=Co,Ni)声子谱和热力学性质的第一性原理研究
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作者 董欣月 冯敏 王玉芳 《光散射学报》 2020年第2期189-194,共6页
本文采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)和密度泛函微扰理论(DFPT)方法,计算了ZnCo3(OH)6Cl2和ZnNi3(OH)6Cl2两种六角结构晶体的结构,声子谱和模式密度,进而分析和比较了对称性,频率以及热力学性质。通过理论计算得到的声子谱没有虚... 本文采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)和密度泛函微扰理论(DFPT)方法,计算了ZnCo3(OH)6Cl2和ZnNi3(OH)6Cl2两种六角结构晶体的结构,声子谱和模式密度,进而分析和比较了对称性,频率以及热力学性质。通过理论计算得到的声子谱没有虚频,可知该结构可以稳定存在;声子模式密度结果显示了不同种类原子的贡献大小。确定了拉曼活性振动模式的对称性和频率,并与量子自旋液体材料ZnCu3(OH)6Cl2进行了比较,结果显示它们的主要拉曼峰位置比较接近。最后,计算和分析得到的热力学性质符合物理规律。 展开更多
关键词 密度泛函理论 ZnCo3(OH)6Cl2 ZnNi3(OH)6Cl2 声子谱 热力学性质
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透析立体几何中的探索性问题
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作者 董欣月 《中学生数理化(高二数学、高考数学)》 2018年第1期9-10,共2页
立体几何中的探索性问题立意新颖,形式多样,求解探究过程既能够考查同学们的空间想象力,又可以考查同学们的意志力和探究创新意识,逐步成为近几年高考命题的热点和今后命题的趋势之一。其主要有两类:一是推理型,即探究空间中的平行与... 立体几何中的探索性问题立意新颖,形式多样,求解探究过程既能够考查同学们的空间想象力,又可以考查同学们的意志力和探究创新意识,逐步成为近几年高考命题的热点和今后命题的趋势之一。其主要有两类:一是推理型,即探究空间中的平行与垂直关系,可以利用空间线面关系的判定与性质定理进行推理探究;二是计算型,即对几何体中的空间角与距离、几何体的体积等计算型问题的有关探究,此类探究性问题可以转化为关于某个参数的方程,根据方程解的存在性来解决。 展开更多
关键词 探索性问题 立体几何 空间想象力 透析 高考命题 探究性问题 解的存在性 探究过程
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探索Bi_(2)SeO_(5)的高介电性能:从块体到双层和单层
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作者 董欣月 何育彧 +4 位作者 管乐 祝元昊 吴金雄 付会霞 颜丙海 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期906-913,共8页
Bi_(2)SeO_(5)是一种具有优异电绝缘性能的范德华(vdW)层状介电材料,引起了极大关注.然而,目前关于Bi_(2)SeO_(5)的研究主要停留在实验层面,仍然缺乏对其原子级薄膜的介电性能的相关理论认识.本文通过第一性原理计算确定了Bi_(2)SeO_(5... Bi_(2)SeO_(5)是一种具有优异电绝缘性能的范德华(vdW)层状介电材料,引起了极大关注.然而,目前关于Bi_(2)SeO_(5)的研究主要停留在实验层面,仍然缺乏对其原子级薄膜的介电性能的相关理论认识.本文通过第一性原理计算确定了Bi_(2)SeO_(5)的介电性能,发现其块体、双层和单层均具有超高平均介电常数(εr>20).研究表明,单层Bi_(2)SeO_(5)与双层Bi_(2)O_(2)Se之间的导带和价带能量偏移量均大于1 eV,表明单层Bi_(2)SeO_(5)依然可作为原子薄Bi_(2)O_(2)Se的良好介电层.此外,不同于h-BN或其他2D vdW绝缘体,Bi_(2)SeO_(5)的εr由其离子部分主导,且随着厚度的减小几乎保持不变.计算发现,单层Bi_(2)SeO_(5)的等效氧化层厚度可薄至0.3 n m,且单层Bi_(2)SeO_(5)在拉伸或压缩应变达到6%时均能保持高介电常数,这极大地促进了它与各种二维半导体的集成.本工作证明单层Bi_(2)SeO_(5)可以作为高性能二维电子器件良好的封装和介电层. 展开更多
关键词 Bi_(2)SeO_(5) high-κ equivalent oxide thickness dielectric constant van der Waals first-principles calculations
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