高硬度装甲钢抗弹性能及其机理研究

通过穿甲试验,研究装甲钢硬度与抗弹性能之间的关系;由弹坑解剖分析了装甲钢板穿甲破坏形貌以及弹坑表面的强化机理。试验结果表明:高硬度装甲钢抗弹性能好;装甲钢板为混合穿甲形式破坏;弹坑表面的变形带和相变带是由非常细小马氏体板条组成,其硬度非常高,远远高于装甲钢板的基体和淬火硬度。

新型扭矩轴材料研究

通过对进口扭矩轴解剖分析,探讨了国产扭矩轴材料代替进口扭矩轴使用的可能性,通过两种材料对比试验,结果认为,国产扭矩轴无论是化学成分、力学性能和扭转试验以及模拟台架试验,性能全部达到进口扭矩轴材料的技术要求,并按进口扭矩轴样品制造了国产扭矩轴,经过试验与进口扭矩轴使用寿命相当,达到国外同类产品的水平.

光源掩模协同优化的原理与应用

当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限。光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期。综述了SMO这一技术,分析了SMO的原理,介绍了该技术的发展和在半导体制造工艺中的应用,重点探讨了其在先进光刻节点研发中的应用,并对其挑战和发展趋势进行了展望,认为SMO不仅是193 nm浸润式光刻技术的重要组成部分,也将是EUV光刻中必不可少的一种技术。

PECVD参数对含氢非晶碳刻蚀特性的影响研究

分析了射频等离子体增强化学气相淀积(RFPECVD)参数对含氢非晶碳(α-C∶H)刻蚀特性的影响规律。首先,针对射频功率、丙烯流量、反应腔压强、极板间距等工艺参数对膜层刻蚀特性的影响进行了实验,并通过确定性筛选设计方法产生实验矩阵。然后,采用RFPECVD工艺在硅衬底上淀积α-C∶H。最后,运用多元回归方法对刻蚀速率、刻蚀均匀性进行了研究。结果表明,淀积工艺参数的变化对膜层的均匀性没有影响,对膜层的刻蚀速率有影响。该工艺参数对刻蚀特性的影响研究对优化CVD工艺具有参考价值。

化学外延方式的嵌段共聚物定向自组装

定向自组装(DSA)是一种新型的光刻分辨率增强技术,为了探究制约DSA应用于大规模集成电路制造的因素,采用仿真手段评估了DSA工艺条件以及不同版图设计对DSA的影响。基于Cahn-Hilliard方程,模拟了不同"吸附"强度及退火时间下的线条图形光刻轮廓,分析了上述工艺条件对光刻结果的影响,发现增加退火时间、增强衬底的"吸附"强度可以有效减小电路制造缺陷。基于7 nm设计规则,改变引导图形周期,得到线条图形线宽粗糙度(LWR)以及通孔图形的光刻轮廓图,分析了引导图形周期和LWR及轮廓图质量的关系,得出当引导图形周期为2倍共聚物自然周期(2L0)时,可以得到更好的光刻图形质量,并通过2L0周期扰动实验进一步验证了该结论。

针对更精确电迁移预测应用的热耦合模型建模

基于先进逻辑CMOS工艺平台,构建了集成电路热耦合模型,为后端金属线电迁移预测提供更精确的温度变化和分布信息。在建模过程中,为了提高建模和仿真效率,对金属线网络和晶体管有源区进行简化,并用热传输比率对热耦合进行表征。考虑到晶体管参数、金属线走向、金属线之间相对位置对热传输比率的影响,模型中引入相关因子对热传输比率做进一步修正。最后,将该热传输模型嵌入到商用仿真软件中。结果表明,热传输比率(即温度)的仿真值与基于工艺平台流片的实测值吻合良好,验证了模型的准确性。

先进工艺下的版图邻近效应研究进展

在28 nm及以下工艺节点,版图邻近效应已经成为一个重要问题。文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Metal-gate、FinFET等不同工艺下的6种版图邻近效应二级效应,包括阱邻近效应、扩散区长度效应、栅极间距效应、有源区间距效应、NFET/PFET栅极边界邻近效应和栅极线末端效应。在此基础上,详细论述了这些二级效应的工艺背景、物理机理以及对器件电学性能的影响,归纳了目前常见的工艺改进方法。最后,从工艺角度展望了深纳米工艺尺寸下版图邻近效应的发展趋势。

S390拉线刀材料的应用研究

通过S390钢和Co5Si钢两种拉线刀材料的对比试验,研究淬火和回火温度对硬度的影响。结果表明：随淬火温度升高,硬度呈缓慢下降趋势。当回火温度为500~550℃,两种材料的回火硬度分别达到最高值,且S390钢拉线刀性能优于Co5Si钢。经生产考核,S390钢拉线刀完全达到技术指标要求,使用寿命延长。

某钢贝氏体组织与性能

通过电镜观察，仔细研究某钢贝氏体组织与性能，结果表明，３２０℃等温组织是下贝氏体和马氏体及少量粒状贝氏体，回火后获得良好力学性能。

国外电磁装甲研究进展

通过对国外有关电磁装甲研究的综合分析 ,论述了三类电磁装甲基本结构 ,基本原理 ,及目前水平。

电(磁)装甲研究现状及发展趋势

通过对国外关于电 (磁 )装甲的资料、数值计算及试验结果的分析和比较 ,结合课题研究中的体会提出了对电 (磁 )装甲防护系统发展前景的个人看法。

减温阀门气体渗氮工艺试验研究

研究了减温阀门气体渗氮工艺，分析了渗氮温度、渗氮时间对其力学性能的影响。并进行了寿命对比实际考核，结果表明，所制定的工艺路线完全满足技术条件要求，寿命提高３～６ 倍。

掩模衍射频谱轴向分量对光刻成像性能的影响

传统三维光刻矢量成像模型中将投影系统物方电磁场表示为二维形式,实现方式分为两种:采用局部坐标和忽略掩模衍射频谱的轴向分量。后者在浸没式光刻系统仿真中的适用性需要进一步分析。简述了忽略掩模频谱轴向分量的矢量成像模型和引入该分量的全光路三维光刻矢量成像模型,利用这两种模型和商业仿真软件,研究了掩模衍射频谱轴向分量对光刻胶中成像特征尺寸的影响并对结果进行了讨论。研究结果表明,相干照明和部分相干照明条件下,掩模衍射频谱轴向分量对光刻成像的影响随着数值孔径的变化趋势存在较大差异。这说明相干照明下的分析结论并不适用于部分相干照明条件,且只有全光路三维矢量成像模型才能满足浸没式高分辨光刻仿真的要求。

计算光刻研究及进展

光刻是将集成电路器件的结构图形从掩模转移到硅片或其他半导体基片表面上的工艺过程,是实现高端芯片量产的关键技术。在摩尔定律的推动下,光刻技术跨越了90~7 nm及以下的多个工艺节点,逐步逼近其分辨率的物理极限。同时,光刻系统的衍射受限特性,以及各类系统像差、误差和工艺偏差,都会严重影响光刻成像精度。此时,必须采用计算光刻技术来提高光刻成像分辨率和图形保真度。计算光刻是涉及光学、半导体技术、计算科学、图像与信号处理、材料科学、信息学等多个专业的交叉研究领域。它以光学成像和工艺建模为基础,采用数学方法对光刻成像过程进行全链路的仿真与优化,实现成像误差的高精度补偿,能够有效提升工艺窗口和芯片制造良率,降低光刻工艺的研发周期与成本,目前已成为高端芯片制程的核心环节之一。本文首先简单介绍了计算光刻的前身,即传统的分辨率增强技术,在此基础上介绍了计算光刻的基本原理、模型和算法。之后对光学邻近效应校正、光源优化和光源掩模联合优化三种常用的计算光刻技术进行了综述,总结了相关的研究进展、成果和应用。最后,阐述了计算光刻当前所面临的需求与挑战,并讨论了最新技术进展和未来发展方向。

回火温度对28CrNiMoMn高强度钢组织和性能的影响

研究回火温度对28CrNiMoMn高强度钢组织和性能的影响。结果表明,随回火温度升高,钢的强度和硬度下降,塑性提高,屈服强度在低温回火略有上升,到250℃达到最大值;继续升高回火温度,屈服强度开始下降;在300~400℃回火时,试验钢出现明显的回火脆性。试验钢显微组织随回火温度升高,由淬火马氏体转变为回火马氏体、屈氏体和索氏体。

低倍缺陷对38CrSi钢力学性能的影响

用酸蚀方法研究38CrSi钢的低倍缺陷与力学性能的关系。结果表明,低倍缺陷对钢的强度和塑性影响不大,而它对钢的冲击性能有明显作用,这种作用与钢中非金属夹杂物含量有关,夹杂物含量越高,钢的冲击韧性越低,通过电镜分析认为是α-MnS夹杂物。

光学系统像差对极紫外光刻成像特征尺寸的影响

13.5 nm波长极紫外(EUV)光刻机的分辨率虽然很高,但因波长的减小使其对像差的容忍度降低,有必要研究像差对EUV光刻成像的影响。针对四类典型像差的波前特征,选取对像差最敏感的四种测试图形,研究像差对光刻成像特征尺寸和最佳聚焦点偏差量的影响。在满足焦深要求的条件下,给出各单类像差的最大允许范围,最后将四类像差总值控制在0.04λ内,从仿真分析的角度研究了实际工艺生产对像差的要求,即总像差需控制在0.025λ以内,约0.34 nm。