基于TSV技术的CIS芯片晶圆级封装工艺研究

基于TSV技术的封装技术是目前MEMS产品、存储器、3D IC封装中的高端和热点技术.本文论述了在国内处于领先并正在量产化研究阶段的基于TSV技术的CIS芯片晶圆级封装工艺流程.通过理论分析和实验,重点研究了在封装流程中将铝刻蚀、去胶提前到金属镀覆之前的意义和所出现的镍滋生问题.研究表明,将铝刻蚀、去胶提前到金属镀覆之前可以缩短去胶时间,减少光刻胶的残留和金属镀覆层数;通过延长金属镀覆过程中每次UPW冲洗时间,在EN Ni中防止镀液结镍,并在镀锌时降低锌液的粘附性和镀锌后增加硝酸清洗步骤,即可消除镍滋生.以上研究对于提高封装效率和合格芯片率,降低成本是很有意义的.

磁控溅射淀积速率影响因素及最佳工艺参数研究

沉积速率高、基材温升低的磁控溅射工艺,已经成为半导体集成电路金属化工艺的主流。本文重点对在硅晶圆上溅射金属薄膜的实际镀膜过程中的淀积速率进行了理论和实验研究。研究表明淀积速率随工作气压的增大先增大后减小;淀积速率随着靶基距增大而减小,但均匀性增强;当入射离子的能量超过溅射阈值时,淀积速率随着溅射功率的增加先增加后下降;同时还研究了靶材料对淀积速率的影响,以及溅射功率、淀积时间对膜厚和膜质量的影响。

元器件二次筛选中的质量控制

文章叙述了电子元器件二次筛选的基本概念，重点对在二次筛选过程中的主要筛选工序（电功率老化和电参数测试）的工艺质量控制方法进行了阐述。

超晶格中带电粒子的相干电磁辐射

指出了对周期介质加上周期变化的电场,可望获得时空周期变化的周期场;在这种场中运动的带电粒子表现出了人们预期的行为。对这种情况下的电磁辐射进行了讨论,并以掺杂超晶格为例进行具体分析。首先,在经典力学框架内和偶极近似下,把粒子的纵向运动方程化为广义摆方程;在小振幅近似下,把无扰动系统的摆方程进一步化为Duffing方程。用Jacobian椭圆函数和第一类椭圆积分严格地给出了粒子运动轨道和它的运动周期;讨论了粒子的辐射能量和辐射强度。结果表明,当超晶格的势阱深度为1eV,为λp=100nm,γ=104时,电子的辐射频率为8.85×1019,位于X-能区。

高职教育质量保障体系研究

构建一个兼顾外部输入和输出的高职院校教育质量保障体系。在这个保障体系内部,以教学过程和教学效果为主线,以6个主要要素来实现过程,每个要素都必须有问题责任人。这6个主体要素分别是办学指导思想、师资队伍、教学条件、教学过程建设、教学管理、教学效果。体系外部需以控制学生顾客需求输入,最终达到顾客满意为目的。为了实现自我修复,系统增加了自我评价和修复功能。