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高取向As掺杂ZnO纳米线阵列的制备与表征 被引量:3
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作者 冯秋菊 冯宇 +7 位作者 梁红伟 王珏 陶鹏程 蒋俊岩 赵涧泽 李梦轲 宋哲 孙景昌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期154-158,共5页
在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量。场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,As掺杂Zn... 在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量。场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,As掺杂ZnO纳米线阵列具有均一的直径和长度,其顶部和根部直径分别为70 nm和100 nm,长度约为1.5μm。此外,在能量色散谱(EDS)中观测到了As元素的存在。在低温(11 K)光致发光谱中还观测到了与As掺杂相关的中性受主束缚激子发光(A0X),证实As元素作为受主掺杂进入ZnO晶格。As掺杂ZnO纳米线的成功制备为ZnO基纳米光电器件的实现提供了一种可行的p型掺杂方法。 展开更多
关键词 As掺杂 ZNO纳米线阵列 化学气相沉积 光致发光
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Sb掺杂大尺寸ZnO纳米棒的制备及其特性研究
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作者 冯宇 冯秋菊 +7 位作者 王珏 蒋俊岩 陶鹏程 刘爽 许瑞卓 李梦轲 宋哲 孙景昌 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1245-1248,共4页
采用化学气相沉积法,在没有采用任何催化剂的条件下,在Si(100)衬底上成功制备出Sb掺杂大尺寸ZnO纳米棒,并对样品进行了结构和光学性质的表征。结果表明:纳米棒为结晶质量较好的六角纤锌矿结构,在能量色散谱(EDS)中观测到了Sb元素的存在... 采用化学气相沉积法,在没有采用任何催化剂的条件下,在Si(100)衬底上成功制备出Sb掺杂大尺寸ZnO纳米棒,并对样品进行了结构和光学性质的表征。结果表明:纳米棒为结晶质量较好的六角纤锌矿结构,在能量色散谱(EDS)中观测到了Sb元素的存在。此外,在低温光致发光(PL)光谱中还观测到了与Sb掺杂相关的中性受主束缚激子发光峰(A0X)、自由电子到受主能级跃迁的发光峰(FA)、施主受主对(DAP)以及DAP的一级纵向光声子伴线(DAP-1LO),因此证实Sb元素作为受主杂质掺杂已进入ZnO晶格。 展开更多
关键词 Sb掺杂 化学气相沉积 ZNO纳米棒 光致发光
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The Fabrication and Characterization of Well Aligned Petal-Like Arsenic-Doped Zinc Oxide Microrods
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作者 FENG Qiu-Ju JIANG Jun-Yan +4 位作者 TAO Peng-Cheng LIU Shuang XU Rui-Zhuo LI Meng-Ke SUN Jing-Chang 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2011年第10期263-265,共3页
Arsenic-doped petal-like zinc oxide microrods are grown on silicon(100)substrates by the chemical vapor deposition method without the use of catalysts.Scanning electron microscopy shows that As-doped petal-like ZnO mi... Arsenic-doped petal-like zinc oxide microrods are grown on silicon(100)substrates by the chemical vapor deposition method without the use of catalysts.Scanning electron microscopy shows that As-doped petal-like ZnO microrods with a preferred c−axial orientation are obtained,which is well in accordance with x-ray diffraction analysis.The obtained ZnO microrods have uniform lengths of about 2µm and side lengths of about 100 nm.As-related acceptor emissions are observed from photoluminescence spectra of the ZnO microrods at a temperature of 11 K.The acceptor binding energy is estimated to be 128 meV. 展开更多
关键词 ACCEPTOR Zinc axial
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CVD法制备p-ZnO薄膜/n-Si异质结发光二极管及其性能研究 被引量:4
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作者 冯秋菊 蒋俊岩 +7 位作者 唐凯 吕佳音 刘洋 李荣 郭慧颖 徐坤 宋哲 李梦轲 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期438-442,共5页
利用简单的化学气相沉积方法,首先在n-Si衬底上生长Sb掺杂p-ZnO薄膜,并在此基础上制作了p-ZnO/n-Si异质结发光二极管.对制备的Sb掺杂ZnO薄膜在800℃下进行了热退火处理,发现退火后样品的晶体质量和表面形貌都得到明显提高,并且薄膜呈现... 利用简单的化学气相沉积方法,首先在n-Si衬底上生长Sb掺杂p-ZnO薄膜,并在此基础上制作了p-ZnO/n-Si异质结发光二极管.对制备的Sb掺杂ZnO薄膜在800℃下进行了热退火处理,发现退火后样品的晶体质量和表面形貌都得到明显提高,并且薄膜呈现的电导类型为p型,载流子浓度为9.56×1017cm-3.此外,该器件还表现出良好的整流特性,正向开启电压为4.0V,反向击穿电压为9.5V.在正向45mA的注入电流条件下,器件实现了室温下的电致发光.这说明较高质量的ZnO薄膜也可以通过简单的化学气相沉积方法来实现,这为ZnO基光电器件的材料制备提供了一种简单可行的方法. 展开更多
关键词 CVD p-ZnO 异质结 电致发光
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