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非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究(英文)
被引量:
2
1
作者
蒋嗣韬
肖广然
王伟
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期228-236,共9页
随着器件沟道尺寸的不断缩小,短沟道效应(SCE)和漏致势垒降低效应(DIBL)对常规类MOSFET结构的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)影响变大,从而引起器件性能下降。文中提出了一种新型采用非对称HALO-LDD掺杂结构的GNRFET,其能够有效抑制器...
随着器件沟道尺寸的不断缩小,短沟道效应(SCE)和漏致势垒降低效应(DIBL)对常规类MOSFET结构的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)影响变大,从而引起器件性能下降。文中提出了一种新型采用非对称HALO-LDD掺杂结构的GNRFET,其能够有效抑制器件中SCE和DIBL,改善器件性能。并采用一种量子力学模型研究GNRFET的电学特性,该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解。结合器件的工作原理,研究了GNRFET的电学特性和器件结构尺寸效应,通过与采用其他掺杂结构的GNRFET的电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯纳米条带场效应管具有更低的泄漏电流。
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关键词
石墨烯纳米条带
场效应管
非平衡格林函数
掺杂结构
漏极电场致势垒降低效应
下载PDF
职称材料
基于非对称掺杂策略的GNRFET电学特性研究
2
作者
蒋嗣韬
肖广然
王伟
《南京邮电大学学报(自然科学版)》
北大核心
2013年第5期21-27,共7页
基于量子力学非平衡Green函数理论框架,在开放边界条件下,通过自洽求解三维Poisson和Schrdinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型。并利用该模型分析计算采用非对称HALO-LDD掺杂策略的石墨烯纳米条带场效应管(G...
基于量子力学非平衡Green函数理论框架,在开放边界条件下,通过自洽求解三维Poisson和Schrdinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型。并利用该模型分析计算采用非对称HALO-LDD掺杂策略的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)的电学特性。通过与采用其他掺杂策略的GNRFET的输出特性、转移特性、开关电流比、亚阈值摆幅、阈值电压漂移等电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移,表明采用非对称HALO-LDD掺杂策略的GNRFET具有更好的栅控能力,能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。
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关键词
石墨烯纳米条带场效应管
非对称HALO-LDD掺杂
非平衡格林函数
掺杂策略
DIBL效应
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职称材料
题名
非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究(英文)
被引量:
2
1
作者
蒋嗣韬
肖广然
王伟
机构
南京邮电大学电子科学与工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期228-236,共9页
基金
国家自然科学基金(60806027)
江苏省高校自然科学研究面上资助项目(10KJD510005,10KJD510006)
文摘
随着器件沟道尺寸的不断缩小,短沟道效应(SCE)和漏致势垒降低效应(DIBL)对常规类MOSFET结构的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)影响变大,从而引起器件性能下降。文中提出了一种新型采用非对称HALO-LDD掺杂结构的GNRFET,其能够有效抑制器件中SCE和DIBL,改善器件性能。并采用一种量子力学模型研究GNRFET的电学特性,该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解。结合器件的工作原理,研究了GNRFET的电学特性和器件结构尺寸效应,通过与采用其他掺杂结构的GNRFET的电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯纳米条带场效应管具有更低的泄漏电流。
关键词
石墨烯纳米条带
场效应管
非平衡格林函数
掺杂结构
漏极电场致势垒降低效应
Keywords
graphene nanoribbon
field-effect transistors
non-equilibrium Green′s function
doping profile
drain-field induced pontential barrier lowering(DIBL)
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于非对称掺杂策略的GNRFET电学特性研究
2
作者
蒋嗣韬
肖广然
王伟
机构
南京邮电大学电子科学与工程学院
出处
《南京邮电大学学报(自然科学版)》
北大核心
2013年第5期21-27,共7页
基金
国家自然科学基金(60806027)
江苏省高校自然科学基金(10KJD510005
+1 种基金
10KJD510006)
南京邮电大学科研基金(NY211094)资助项目
文摘
基于量子力学非平衡Green函数理论框架,在开放边界条件下,通过自洽求解三维Poisson和Schrdinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型。并利用该模型分析计算采用非对称HALO-LDD掺杂策略的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)的电学特性。通过与采用其他掺杂策略的GNRFET的输出特性、转移特性、开关电流比、亚阈值摆幅、阈值电压漂移等电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移,表明采用非对称HALO-LDD掺杂策略的GNRFET具有更好的栅控能力,能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。
关键词
石墨烯纳米条带场效应管
非对称HALO-LDD掺杂
非平衡格林函数
掺杂策略
DIBL效应
Keywords
graphene nanoribbon field effect transistors
asymmetric HALO-LDD doping
non-equilibrium Green's function
doping strategy
drain induced barrier lowering effect
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究(英文)
蒋嗣韬
肖广然
王伟
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
下载PDF
职称材料
2
基于非对称掺杂策略的GNRFET电学特性研究
蒋嗣韬
肖广然
王伟
《南京邮电大学学报(自然科学版)》
北大核心
2013
0
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职称材料
已选择
0
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