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基于高雾度BZO前电极的高效率非晶硅/纳米硅叠层电池的制备 被引量:1
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作者 彭长涛 张津岩 +8 位作者 胡安红 曲铭浩 王全良 蒋奇拯 郁操 汝小宁 王建强 汪涛 徐希翔 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2175-2180,共6页
利用自行设计开发的LPCVD设备和BZO生长工艺制备BZO导电玻璃,并用自行研发的工艺在其上制备非晶硅/纳米硅叠层电池,同时用相近工艺在商用FTO导电玻璃上制备电池,对两者进行比较。实验发现:在工业化生产可接受的条件下,自行开发BZO前电... 利用自行设计开发的LPCVD设备和BZO生长工艺制备BZO导电玻璃,并用自行研发的工艺在其上制备非晶硅/纳米硅叠层电池,同时用相近工艺在商用FTO导电玻璃上制备电池,对两者进行比较。实验发现:在工业化生产可接受的条件下,自行开发BZO前电极电池的QE总电流密度可比高质量商用FTO前电极电池高约1mA/cm2;通过自行研发的工艺技术,成功解决BZO前电极+非晶硅/纳米硅叠层+银背电极结构电池的开路电压和填充因子过低的问题,所制备的BZO前电极电池初始效率最高可达12.2%。 展开更多
关键词 硅基薄膜电池 纳米硅 掺硼氧化锌 陷光 LPCVD 量子效率
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