低能氖原子与H_2(D_2、T_2)分子碰撞微分截面的研究

用密耦方法及Tang Toennies势模型计算了Ne-H2 (D2 、T2 )碰撞体系的转动激发碰撞截面 ,得到了H2分子的对称同位素替代情形下Ne -H2 (D2 、T2 )

氖原子与H_2(D_2、T_2)分子碰撞微分截面的理论研究

用公认精确度较高的密耦近似方法和Tang Toennies势模型计算了不同能量下惰性气体原子Ne与H2及其同位素D2、T2替代碰撞体系的转动激发碰撞截面.通过分析Ne H2、D2、T2各碰撞体系微分截面的差异,总结出在H2分子的对称同位素替代情形下Ne H2(D2、T2)碰撞体系微分截面的变化规律.结果表明,体系的约化质量及入射原子相对碰撞能量的变化均给体系的微分截面带来不同程度的影响.

低能氖原子与H_2(D_2、T_2)分子碰撞分波截面的理论研究

用密耦方法及Tang Toennies势模型计算了Ne H2 (D2 、T2 )碰撞体系的碰撞截面 ,得到了H2 分子的对称同位素替代情形下Ne H2 (D2 、T2 )

氖原子与H_2(D_2、T_2)分子碰撞分波截面的理论计算

用Tang -Toennies势模型和公认精确度较高的密耦近似方法计算了不同能量下惰性气体原子Ne与H2 及其同位素D2 、T2 替代碰撞体系的转动激发碰撞截面 .通过分析Ne H2 、D2 、T2 各碰撞体系分波截面的差异 ,总结出在H2 分子的对称同位素替代情形下Ne H2 (D2 、T2 )碰撞体系分波截面的变化规律 .结果表明 ,体系的约化质量及入射原子相对碰撞能量的变化均给体系的碰撞截面带来不同程度的影响 .

钠原子双激发[2p,3s]→[4p,kl]光电离截面计算

用多体微扰理论和原子体系图示法 ,研究和讨论了钠原子双激发 [2 p ,3s]→ [4p ,kl(kp +kf) ]并计算了钠原子的光电离激发截面 ,计算结果与实验结果相符。

钠原子双激发[2p,3s]→[5s,kl]光电离截面计算

用多体微扰理论和原子体系图示法 ,研究和讨论了钠原子双激发 [2 p ,3s]→ [5s,kl (ks +kd) ]并计算了钠原子的光电离激发截面 ,计算结果与实验结果相符。

RbCdF_3: Fe^(3+)和CsCdF_3: Fe^(3+)晶体中Fe^(3+)-Li^+缺陷中心结构研究

本文计算了掺入三价Ｆｅ３＋离子和Ｌｉ＋杂质后，晶体ＲｂＣｄＦ３和ＣｓＣｄＦ３中的Ｆｅ３＋－Ｌｉ＋缺陷中心的零场分裂参量，微扰计算进行到第六阶．将计算值与实验值比较，确定了配体的位置。

光非经典性质的确切判断

本文分析光非经典性质的决定性判据,并介绍一种由相互作用哈密顿去推断光非经典性质的算符Taylor展开方法。

He-N_2势能表面对散射截面的影响

从总散射截面、微分散射截面和分波散射截面三方面对He-N2体系的三个势能表面进行了详细比较。计算中采用了精确度较高的密耦(Close-Coupling)近似方法(E=64meV),计算结果与MKeil等的实验结果基本相符。研究结果表明:势能球平均零点能位置、势阱深度、排斥势的强度以及势能在势阱附近的方向性都对散射截面有较大的影响,为根据散射截面准确地确定He-N2体系的相互作用势能参数提供了一种新依据。

氢(氘、氚)分子与低能氦原子(E=0.1eV)碰撞研究

对H2 ,D2 ,T2 碰撞体系 ,采用Tang Toennies势 ,用密耦方法求解散射方程 ,计算了 E =0 .1eV 时 0 0 0 0 ,0 0 0 2 ,0 0 0 4分子转动激发分波截面和角分布 ,并研究了原子与分子碰撞弹性分波截面和非弹性激发截面随量子数增加的变化规律。

惰性气体原子与H_2(D_2、T_2)分子碰撞总截面的理论研究

用Tang Toennies势模型和密耦近似方法计算了能量E=0.05、0.10、0.15、0.20eV和0.25eV时惰性气体原子与H2(D2、T2)分子碰撞体系的碰撞总截面,得到了惰性气体原子与H2及其对称同位素替代碰撞体系总截面随能量增加的变化规律.

低能He-H_2(D_2,T_2)碰撞分波截面计算

采用Tang Toennes势模型 ,当入射氦原子能量是E =0 .0 5eV时 ,计算了He -H2 (D2 ,T2 )弹性分波截面和非弹性激发分波截面随量子数的变化。

氦原子与H_2、D_2、T_2分子碰撞角分布的理论计算

采用Tang Toennies势模型 ,用密耦法求解散射方程 ,计算了入射能量E =0 .0 5eV时 ,0 0- 0 0 ,0 0 - 0 2转动激发截面 ,进而计算了He -H2 ,He -D2 和He -T2 碰撞的角分布。

氢(氘、氚)的非对称同位素替代分子与低能氦原子(E=0.1eV)碰撞分波截面研究和计算

当入射氦原子能量E =0 .1eV时 ,用密耦方程 (CloseCouplingEquation)研究和计算了氢的非对称同位素替代分子HD、TD、DT—He碰撞。首先考虑了非对称同位素替代时质心偏移量对势能函数的影响 ,得到在新质心坐标系中势能函数表达式 ,并计算了E =0 .1eV时弹性碰撞 0 0 - 0 0分波及非弹性碰撞激发 0 0- 0 1、0 0 - 0 2、0 0 - 0 3、0 0 - 0

He-O_2势能表面对散射截面的影响

本文利用密耦方法（Ｃｌｏｓｅ－Ｃｏｕｐｌｉｎｇ）计算了Ｈｅ－Ｏ２碰撞体系的散射截面我们选用了Ｈｅ—Ｏ２体系的４种不同相互作用势，计算了能量为６４ｍｅＶ的微分截面、分波截面以及总截面，结果与Ｍ.Ｋｅｉｌ等的实验结果符合得较好。同时我们还比较了不同势模型下截面的异同，讨论了势参数对散射截面的影响。

惰性气体原子与氢(氘、氚)分子碰撞微分截面研究

用Tang Toennies势模型和较高精确度的密耦(Close Coupling)近似方法,计算了E=0.05eV整簇惰性气体原子与氢(氘、氚)分子碰撞体系00 00弹性碰撞及00 02非弹性碰撞微分截面,得到了惰性气体原子与H2及其对称同位素替代碰撞体系微分截面的变化规律.结果表明,微分截面随体系的约化质量和角度的增加而变化.

惰性气体原子与氢的同位素分子T_2碰撞分波截面计算

用密耦计算方法及T·T(Tang-Toennies)势模型分别计算了入射能量E=0·05eV、0·15eV、0·25eV时He、Ne、Ar、Kr、Xe-T2碰撞体系的00-00弹性碰撞和00-02非弹性碰撞分波截面,结果表明:对00-00弹性碰撞,分波截面随量子数J的增加不断振荡,并随入射原子的相对碰撞能量的变化,振荡极大值的位置、收敛分波数等均有不同的变化。

低能惰性气体原子与H_2(D_2、T_2)分子碰撞分波截面理论研究

用密耦计算方法及Tang-Toennies势模型计算了E=0.05eV时,He、Ne、Ar、Kr、Xe与H2(D2、T2)碰撞体系的分波截面,从而得到了H2分子及其对称同位素替代情形下整簇惰性气体原子与H2(D2、T2)分子碰撞分波截面随量子数增加和体系约化质量的变化规律.

由DS1820和AT89C2051构成的简单测温装置

介绍了新型单线数字温度计ＤＳ１８２０和ＡＴ８９Ｃ２０５１芯片的应用原理和由它们构成的单线多点温度测量装置．给出了装置的硬件构成和软件框图．说明了此种测温装置具有多点测量、结构简单和体积小的特点．

He-H_2(D_1,T_2)碰撞(E=0.2eV)微分散射截面的理论计算

当入射氦原子能量E =0 .2eV时 ,用密耦方法计算了He -H2 (D2 ,T2 )