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氮化镓最新研究进展及在LED领域的突破
1
作者
杨桐
蒋持墨
《电子制作》
2013年第12X期38-38,共1页
近年来以镓为原料的Ⅲ族氮化物受到广泛的关注,为了介绍氮化镓的最新研究进展,文章以氮化镓薄膜的制备为切入点,借助学校自主研制的MOCVD系统,做了多次生长实验,总结出5条MCVD系统的优点,文章进而阐述了氮化镓在射频功率晶体管和LED方...
近年来以镓为原料的Ⅲ族氮化物受到广泛的关注,为了介绍氮化镓的最新研究进展,文章以氮化镓薄膜的制备为切入点,借助学校自主研制的MOCVD系统,做了多次生长实验,总结出5条MCVD系统的优点,文章进而阐述了氮化镓在射频功率晶体管和LED方面的突破。综上所述,文章在描述学校自主研制的MOCVD系统和认识氮化镓最新发展上取得了满意的结果。
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关键词
氮化镓
MOCVD
电学性质
LED
射频功率晶体管
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职称材料
题名
氮化镓最新研究进展及在LED领域的突破
1
作者
杨桐
蒋持墨
机构
西安电子科技大学
出处
《电子制作》
2013年第12X期38-38,共1页
文摘
近年来以镓为原料的Ⅲ族氮化物受到广泛的关注,为了介绍氮化镓的最新研究进展,文章以氮化镓薄膜的制备为切入点,借助学校自主研制的MOCVD系统,做了多次生长实验,总结出5条MCVD系统的优点,文章进而阐述了氮化镓在射频功率晶体管和LED方面的突破。综上所述,文章在描述学校自主研制的MOCVD系统和认识氮化镓最新发展上取得了满意的结果。
关键词
氮化镓
MOCVD
电学性质
LED
射频功率晶体管
Keywords
gallium nitride
MOCVD
electrical properties
LED
Rf power transistors
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
氮化镓最新研究进展及在LED领域的突破
杨桐
蒋持墨
《电子制作》
2013
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