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题名SiGe半导体技术新进展
被引量：9
- 1
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作者
蒋昌凌
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机构
电子十三所
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出处
《半导体情报》
2000年第3期26-31,共6页
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文摘
综述了 Si Ge材料的性质、主要研究方向以及最新的发展情况 ,并介绍了国外 Si Ge的研究情况。
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关键词
HBT
半导体技术
锗化硅
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Keywords
SiGe Device HBT
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分类号
TN304.24
[电子电信—物理电子学]
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题名GaAs超高速集成电路的发展与展望
被引量：1
- 2
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作者
蒋昌凌
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机构
电子工业部第十三研究所
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出处
《半导体情报》
1999年第1期22-26,共5页
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文摘
概述了ＧａＡｓ超高速集成电路的现状与发展趋势，介绍了门阵列、Ａ／Ｄ（Ｄ／Ａ）转换器、ＭＵＸ／ＤＥＭＵＸ以及异质结器件的发展和应用前景。
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关键词
超高速集成电路
门阵列
异质结器件
砷化镓
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Keywords
GaAs VHSIC Gate array A/D(D/A)converter Heterojunction devices
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分类号
TN453
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名GaAs超高速集成电路的发展与市场
- 3
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作者
蒋昌凌
林爱敏
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机构
电子十三所
福建对外贸易学校
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出处
《半导体情报》
2000年第5期17-22,40,共7页
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文摘
综述了近年来以 HBT、MESFET及 HEMT为基本单元的 Ga As超高速集成电路的发展情况 ,并对其市场的应用作一介绍。
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关键词
HBT
HEMT
砷化镓
半导体
高速集成电路
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Keywords
GaAs MESFET GaAs HBT GaAs HEMT
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
F407.635
[经济管理—产业经济]
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题名我国芯片制造业的发展
- 4
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作者
蒋昌凌
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机构
河北半导体所
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出处
《电子与封装》
2002年第6期6-7,11,共3页
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文摘
本文着重阐述了我国芯片制造业的发展现状及其将来的美好前景。
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关键词
芯片
制造业
生产线
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名RF/微波业常用简写及缩写(六)
- 5
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作者
蒋昌凌
赵小宁
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出处
《半导体情报》
2001年第6期59-60,共2页
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关键词
射频
微波
技术术语
缩写词
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分类号
TN01
[电子电信—物理电子学]
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题名GaAs IC随市场增长而升温
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作者
蒋昌凌
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出处
《半导体情报》
1998年第6期59-61,共3页
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文摘
大多数先进技术研究的驱动力是提高器件性能、降低成本、通常又具有进入全新的应用领域或产品领域的机会。最近，ＧａＡｓ毫无疑问地成为典范，蜂窝电话的市场增长以及无线通信市场的增长决定了工业的发展方向。在ＧａＡｓＩＣ＇９７器件论文中可以看到在过去的几年中Ｇａ...
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关键词
砷化镓IC
市场
电子工业
世界
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分类号
F416.63
[经济管理—产业经济]
F405
[经济管理—产业经济]
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题名RF/微波业常用简写及缩写(五)
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作者
蒋昌凌
赵小宁
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出处
《半导体情报》
2001年第5期58-59,共2页
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关键词
射频
微波
英文缩写
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分类号
TN01
[电子电信—物理电子学]
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