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成膜溶剂对聚4-甲基戊烯-1膜形态结构及渗透汽化特性的影响 被引量:4
1
作者 蒋晓钧 曾一鸣 +1 位作者 施艳荞 陈观文 《功能高分子学报》 CAS CSCD 2001年第2期133-137,共5页
以聚 4-甲基戊烯 - 1(PMP)为膜材质 ,分别以环己烷、三氯乙烯以及环己烷 /三氯乙烯为溶剂 ,以浇铸法制备了PMP的均质致密膜。研究了不同溶剂体系的相对溶解能力和挥发速度对PMP膜结晶度和形态结构的影响 。
关键词 聚4-甲基戊烯-1 成膜溶剂 渗透汽化 结晶 膜分离 膜形态结构 膜材料
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有机液优先透过渗透汽化膜 被引量:8
2
作者 蒋晓钧 施艳荞 陈观文 《功能高分子学报》 CAS CSCD 2000年第2期233-239,共7页
有机液优先透过膜作为渗透汽化膜及其相关过程的重要组成部分 ,近年来受到高度关注。综述了近年来有关其膜材质结构 -分离特性 ,以及用于有机液 /水分离研究的进展。
关键词 渗透汽化 有机液优先透过膜 结构 性能
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溴代聚苯醚膜对有机液/水混合体系的渗透汽化分离 被引量:6
3
作者 蒋晓钧 施艳荞 陈观文 《膜科学与技术》 CAS CSCD 2000年第5期16-20,共5页
对聚 2 ,6-二甲基苯撑氧 (PPO)进行了溴代反应 ,制备的溴代PPO(简称BPPO)均质膜 ,以氨水进行化学交联后 ,表征了其对氯代烃如二氯甲烷、氯仿、氯苯及乙酸乙酯等的水溶液的渗透汽化 (PV)特性 ;研究了BPPO膜交联性质与其PV特性间的关系 ,... 对聚 2 ,6-二甲基苯撑氧 (PPO)进行了溴代反应 ,制备的溴代PPO(简称BPPO)均质膜 ,以氨水进行化学交联后 ,表征了其对氯代烃如二氯甲烷、氯仿、氯苯及乙酸乙酯等的水溶液的渗透汽化 (PV)特性 ;研究了BPPO膜交联性质与其PV特性间的关系 ,并进行了理论解释 . 展开更多
关键词 溴代聚苯醚 有机液/水体系 渗透汽化 膜分离
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聚4-甲基戊烯-1对有机液/水混合体系的渗透汽化分离 被引量:3
4
作者 蒋晓钧 曾一鸣 陈观文 《膜科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期58-61,共4页
以结晶性聚合物聚 4 -甲基戊烯 - 1(PMP)为膜材质 ,制备了PMP均质膜 ,研究了其分子结构与其对二氯甲烷、三氯甲烷和 1,2 -二氯乙烯等氯代烃有机液 /水混合体系的渗透汽化 (PV )特性间的关系 ,并进行了理论解释 .
关键词 分离 聚4-甲基戊烯-1 有机液 水混合体系 渗透汽化 膜分离
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PTMSP及其共聚物膜对有机液/水体系的PV分离 被引量:5
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作者 蒋晓钧 陈观文 《膜科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期15-20,共6页
制备了聚三甲基硅丙炔均聚物 (PTMSP) .研究了PTMSP均质膜 ,三甲基硅丙炔(TMSP)与五甲基二硅丙炔 (PMDSP)共聚物膜对含少量有机溶剂水溶液的渗透汽化 (PV )特性 .所选用的有机溶剂包括乙醇、异丙醇、四氢呋喃、二氯甲烷、乙酸乙酯等 .... 制备了聚三甲基硅丙炔均聚物 (PTMSP) .研究了PTMSP均质膜 ,三甲基硅丙炔(TMSP)与五甲基二硅丙炔 (PMDSP)共聚物膜对含少量有机溶剂水溶液的渗透汽化 (PV )特性 .所选用的有机溶剂包括乙醇、异丙醇、四氢呋喃、二氯甲烷、乙酸乙酯等 .从膜的溶胀特性、溶解度系数及扩散系数的测定结果 ,分析了膜材质的结构与PV特性之间的关系 . 展开更多
关键词 PTMSP TMSP PMDSP 共聚物 均质膜 有机液
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PTMSP与PMP膜渗透汽化分离性能的研究比较 被引量:1
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作者 蒋晓钧 曾一鸣 +1 位作者 施艳荞 陈观文 《功能高分子学报》 CAS CSCD 2001年第2期151-157,共7页
制备了聚三甲基硅丙炔与聚 4-甲基戊烯 - 1均质膜 ,研究比较了这两种膜的分子结构与其对吡啶、丁酮和四氢呋喃三种有机液 /水混合体系的渗透汽化特性间的关系 。
关键词 有机液/水混合体系 渗透汽化特性 膜分离 污水处理 聚三甲基硅丙炔膜 聚4-甲基戊烯-1膜
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40nm节点高深宽比接触孔刻蚀电性能稳定性改善
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作者 贺金鹏 蒋晓钧 +4 位作者 明安杰 傅剑宇 罗军 王玮冰 陈大鹏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第3期194-200,共7页
随着工艺节点减小,对高深宽比接触孔形貌和关键尺寸的精准控制变得愈加困难。基于40 nm逻辑器件量产数据,研究了高深宽比接触孔刻蚀工艺参数和刻蚀设备内部耗材的磨损对器件电性能稳定性的影响,并提出了工艺改进方案。通过减小SiO_2厚度... 随着工艺节点减小,对高深宽比接触孔形貌和关键尺寸的精准控制变得愈加困难。基于40 nm逻辑器件量产数据,研究了高深宽比接触孔刻蚀工艺参数和刻蚀设备内部耗材的磨损对器件电性能稳定性的影响,并提出了工艺改进方案。通过减小SiO_2厚度,减小接触孔深宽比,从而改善孔内聚合物在孔底部沉积的问题;通过优化刻蚀工艺参数提高SiN/SiO_2刻蚀选择比,保持刻蚀后SiO_2的厚度与改进前工艺相同。测试结果表明,工艺改进后接触孔底部关键尺寸稳定性提升36%,接触电阻稳定性提升20%。通过工艺改进提高了电参数稳定性,对40 nm工艺节点逻辑器件产品良率提升起到了关键作用。 展开更多
关键词 高深宽比 接触孔刻蚀 侧壁形貌 刻蚀选择比 接触电阻 刻蚀设备耗材
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