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硅扩散工艺研究
1
作者
蒋浩威
章珺
《中国科技期刊数据库 工业A》
2017年第1期306-306,共1页
本文主要介绍利用POCl 液态源法对单晶体硅片进行扩散,扩散后测其方块电阻以及结深。假设硅片的结深已经确定的情况下,研究扩散温度和扩散 时间之间的关系,以便找到扩散工艺中最合适的扩散温度、时间,在不影响硅片 质量的前提下,缩短扩...
本文主要介绍利用POCl 液态源法对单晶体硅片进行扩散,扩散后测其方块电阻以及结深。假设硅片的结深已经确定的情况下,研究扩散温度和扩散 时间之间的关系,以便找到扩散工艺中最合适的扩散温度、时间,在不影响硅片 质量的前提下,缩短扩散时间。
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关键词
热扩散系数
恒量源扩散
结深
饱和值
下载PDF
职称材料
题名
硅扩散工艺研究
1
作者
蒋浩威
章珺
机构
中国计量大学现代科技学院
出处
《中国科技期刊数据库 工业A》
2017年第1期306-306,共1页
文摘
本文主要介绍利用POCl 液态源法对单晶体硅片进行扩散,扩散后测其方块电阻以及结深。假设硅片的结深已经确定的情况下,研究扩散温度和扩散 时间之间的关系,以便找到扩散工艺中最合适的扩散温度、时间,在不影响硅片 质量的前提下,缩短扩散时间。
关键词
热扩散系数
恒量源扩散
结深
饱和值
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
硅扩散工艺研究
蒋浩威
章珺
《中国科技期刊数据库 工业A》
2017
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