硅扩散工艺研究

本文主要介绍利用POCl 液态源法对单晶体硅片进行扩散,扩散后测其方块电阻以及结深。假设硅片的结深已经确定的情况下,研究扩散温度和扩散 时间之间的关系,以便找到扩散工艺中最合适的扩散温度、时间,在不影响硅片 质量的前提下,缩短扩散时间。