纳米晶SnO2薄膜的结晶特性

采用磁控溅射技术，使用混合气体Ar和O2，在衬底温度为150-400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2：Sb透明导电薄膜，通过测定X射线衍射谱，表明薄膜择优取向为[110]和[211]方向，测量了SnO2：Sb薄膜的结晶特性随衬底温度变化以及纳米晶SnO2薄膜FE—SEM表面及断面形貌。

纳米晶氧化锡薄膜的接触特性

在 Ar和 O2 气体中 ,基片温度在 15 0～ 40 0℃的条件下 ,用直流磁控溅射的方法可以制备纳米晶透明导电薄膜。实验利用 TL M模型测试了纳米晶 Sn O2 透明导电薄膜的方块电阻。

FinFET技术专利分析

本文对FinFET技术领域的全球和国内专利申请进行梳理和统计分析,通过数据全面系统地分析该领域国内外专利布局情况和重点专利,有利于相关企业和研究院所有效地规划专利布局,避免产生专利纠纷,降低研发过程中的专利侵权风险。

ASIC功能验证方法浅析

随着芯片设计中集成内容的增加和设计规模的扩大,验证复杂性处于飚升状态。验证工程师必须在现有的工具和语言的基础上,找出适合设计的最优的验证方案。验证环境的最基本元素包括测试激励、BFM(Bus Functional Model)、检查机制和覆盖率统计。目前这几方面都提出了新的方法和概念,有利于提高验证的效率、精度和完备性。