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CeN薄膜表面Cr和Ti抗氧化涂层的制备与性能研究
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作者 罗凯 肖易 +4 位作者 蒋琬玉 贾永峰 蒋玉苹 曹林洪 符亚军 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期529-536,共8页
采用直流磁控溅射在单晶硅基底上制备了2μm厚的氮化铈(CeN)薄膜,并研究了CeN在大气环境中的氧化行为。鉴于CeN在大气环境中容易与氧气反应而劣化分解这一问题,在CeN上沉积了不同厚度的钛(Ti)或铬(Cr)抗氧化涂层以提高其抗氧化性能。实... 采用直流磁控溅射在单晶硅基底上制备了2μm厚的氮化铈(CeN)薄膜,并研究了CeN在大气环境中的氧化行为。鉴于CeN在大气环境中容易与氧气反应而劣化分解这一问题,在CeN上沉积了不同厚度的钛(Ti)或铬(Cr)抗氧化涂层以提高其抗氧化性能。实验结果表明,Ti/CeN复合薄膜在大气环境中暴露较短时间内就会起皮脱落;2.4μm Cr/2μm CeN复合薄膜可以有效地延长CeN在大气环境中的存放时间。最后,探讨了CeN与抗氧化层复合薄膜的氧化机理。 展开更多
关键词 磁控溅射 氮化铈 抗氧化涂层
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