硫化亚锡有序纳米孔道阵列薄膜的制备与表征

以阳极氧化铝为模板,采用两步复型技术首次制备了一种SnS有序纳米孔道阵列薄膜.SEM和TEM测试结果显示此SnS有序多孔薄膜具有几乎均一的、紧密堆积的、直形的纳米孔道阵列结构,孔道直径约200nm,长度约1μm.EDS,XPS和XRD分析结果表明此SnS有序多孔薄膜的SnS骨架具有正交SnS的晶体结构,薄膜中锡与硫的原子比接近化学计量比1:1.

PMMA-ZrO_2等有机无机杂化材料的制备与表征

以烯丙基乙酸丙团作为便联剂应用溶胶凝胶法制备了一系列均匀速明的PMMA－ZrO2等有机无机杂化材料．利用UV，IR对其制备过程进行了研究．并测定了所得杂化玻璃的TGA性质．

透光导电金属及氧化铂半导体薄膜的制备与表征

通过PPh_3对“非保护型”铂金属纳米簇进行表面修饰,并将其萃取至甲苯中,制备的PPh_3修饰的Pt金属钠米簇于空气中可自发地在玻璃表面生长出均匀透光的金属钠米簇薄膜.该金属钠米簇薄膜经空气中加热处理后可转化为透光导电的氧化铂半导体薄膜.考察了金属钠米簇薄膜生长过程中UV-vis吸收光谱的变化.采用SEM和TEM等方法,表征了纳米簇的粒径及膜的多孔结构,由此解释了其透光原因.研究了薄膜的导电性与处理条件的关系,并采用XPS表征了处理过程中的物质变化.初步探索了PPh_3-Pt纳米簇自发成膜过程的机理,确定了氧气在此过程中的重要作用.