华山松大小蠹危害与寄主华山松营养物质和抗性成分的关系

对秦岭林区遭受华山松大小蠹危害不同阶段的被害华山松韧皮部内的营养物质含量和酶活性变化进行了测定。结果表明,在华山松大小蠹和共生蓝变真菌危害初期,华山松韧皮部内的苯丙氨酸解氨酶(PAL)、多酚氧化酶(PPO)、超氧化物歧化酶(SOD)活性均显著提高,丙二醛(M DA)含量明显增加;但随着华山松大小蠹种群数量的增加和蓝变真菌对华山松韧皮部和木质部组织危害的加剧,韧皮部组织内的PAL、PPO和SOD活性逐渐降低,在枯立木阶段降至最低;与此同时,华山松韧皮部内的水分及蛋白质、糖类、粗脂肪、淀粉等营养物质含量,则随华山松大小蠹和共生蓝变真菌危害的加剧而不断减少。华山松大小蠹的入侵危害降低了华山松韧皮部的生理生化抗性,加速了其营养的分解。

小蠹类害虫发生危害的关键因素分析

影响小蠹虫发生危害的因素很多,有寄主树木特性、小蠹虫的种内和种间关系、小蠹共生真菌及天敌、森林生态环境、人为因素等等,本文综述了这些关键因素以便为小蠹虫的可持续控制提供帮助。

华山松蓝变真菌(Leptographium qinlingensis)的生物学*特性研究

【目的】秦岭细粘束孢（Leptographium qinlingensis）是华山松大小蠹成虫携带的致病性真菌,在华山松大小蠹入侵健康华山松后,于寄主韧皮部和木质部边材组织与细胞内发育,分解树脂道泌脂细胞和薄壁细胞,进而影响华山松树脂代谢和水分代谢。对秦岭细粘束孢的生物学特性进行研究,可为华山松大小蠹的综合防治提供理论依据。【方法】通过室内抑菌试验,测定不同温度（5,10,15,20,25,27.5,30和35℃）、培养基（PDA、麦芽汁、察氏和PDA＋华山松韧皮部浸提液）、pH值（4.0,5.0,5.5,6.0,6.5,7.0和8.0）、水势（-0.2,-0.5,-1.0,-1.5,-2.0和-2.5 Mpa）和松针汁（华山松、油松、白皮松、云杉）对秦岭细粘束孢菌丝和孢子发育的影响,并比较了氧化铜、甲霜灵、甲基托布津、代森锌、链霉素和多菌灵6种杀菌剂的抑菌活性。【结果】秦岭细粘束孢菌丝生长的适宜温度为20～30℃,菌丝最适生长温度为27.5℃,产孢最适温度为20℃;该菌在麦芽汁培养基中生长和产孢最好;菌丝生长和孢子发育的适宜pH为4.0～6.5,以pH值5为最佳;在高水势环境下生长较好,菌丝体生物量随培养基水势的降低而不断减少;在添加华山松针叶汁的PDA培养基中,菌丝生长和产孢最好;代森锌、甲基托布津、甲霜灵和氧化铜均有较强的抑菌作用,其中以代森锌效果最明显。【结论】初步探明了秦岭细粘束孢菌丝生长和产孢的最适温度、培养基、pH值和培养基水势;进一步证明了秦岭细粘束孢对寄主华山松营养的高度选择性;筛选出了对秦岭细粘束孢抑菌效果较好的杀菌剂。

秦岭细粘束孢对寄主华山松生理生化代谢的影响

研究人工接种试验条件下华山松大小蠹共生真菌秦岭细粘束孢对华山松苗木生理生化代谢的影响,以揭示秦岭细粘束孢对华山松的危害。结果表明,被感染秦岭细粘束孢的华山松苗木随着真菌在韧皮部和木质部组织内的危害和扩展,针叶叶绿素含量不断降低;接种21 d后韧皮部反应区内水分、可溶性糖及蛋白质含量显著减少;SOD超氯化物歧化酶、CAT(过氧化氢酶)酶活性明显降低,而MDA(丙二醛)含量则有所增加。这说明秦岭细粘束孢的大量侵害可以造成华山松营养物质含量和酶活性的降低,在削弱寄主树木抗性的同时加速寄主华山松韧皮部组织内营养物质的转化,并为华山松大小蠹在韧皮部内的生存创造营养条件。

电离总剂量效应对HfO_(2)栅介质经时击穿特性影响

针对纳米金属-氧化物-半导体(MOS)器件中采用的高介电常数HfO_(2)栅介质,开展电离总剂量效应对栅介质经时击穿特性影响的研究。以HfO_(2)栅介质MOS电容为研究对象,进行不同栅极偏置条件下^(60)Co-γ射线的电离总剂量辐照试验,对比辐照前后MOS电容的电流-电压、电容-电压以及经时击穿特性的测试结果。结果显示,不同的辐照偏置条件下,MOS电容的损伤特性不同。正偏辐照下,低栅压下的栅电流显著增大,电容电压特性的斜率降低;零偏辐照下,正向高栅压时栅电流和电容均显著增大;负偏辐照下,栅电流均有增大,正向高栅压下电容增大,且电容斜率降低。3种偏置下,电容的经时击穿电压均显著减小。该研究为纳米MOS器件在辐射环境下的长期可靠性研究提供了参考。

环境温度对SiC MOSFET的总剂量辐射效应影响

开展不同温度下碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)总剂量效应研究。采用^(60)Coγ射线对三款国内外生产的SiCMOSFET器件进行总剂量辐照试验,获得器件阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等参数分别在25℃,100℃,175℃下的辐射损伤特性,比较器件在不同温度下辐照后器件的退化程度。仿真实验结果表明,不同器件的阈值电压、静态漏电流以及亚阈特性等辐射损伤变化都表现出对环境温度的敏感性,而导通电阻、击穿电压等则相对不敏感。此外SiCMOSFET总剂量辐射响应特性对环境温度的敏感性,还随生产厂家的不同而呈现明显差异性。分析认为,在其他条件相同情况下,器件的阈值电压、静态漏电等参数的退化程度随着辐照温度的升高而降低,主要是由于高温辐照时器件发生隧穿退火效应引起。

基于SWMM模型的高密度校园景观LID优化设计研究——以陕西理工校园景观LID优化设计为例

基于SWMM模型对比对陕西理工大学水文现状进行分析,并分析有针对性地提出陕西理工大学知行路区域的LID优化措施。,对比分析增设LID措施前后径流量及蓄水量的变化,得出有效LID优化措施,进而探讨高密度校园下LID设施与景观设计的结合的策略。

碳化硅功率MOSFET的阈值和开关响应的辐射损伤对比

对不同偏置下碳化硅VDMOS在总剂量辐射环境中的动态和静态特性进行了研究。比较了三种偏置状态下^(60)Coγ射线辐照对于SiC VDMOS器件静态参数(阈值电压)和动态参数(开关响应)的影响。实验结果表明,在经历一定时间的^(60)Coγ射线辐照过后,器件的各项静态参数发生了不同程度的退化,同时器件的开启延迟略微缩短,关断延迟骤增,总开关损耗增大。γ射线辐照导致器件静态特性退化的同时其动态特性也在改变,但两者退化规律具有一定的差异性。

碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较

对总剂量辐射环境下不同偏置状态的碳化硅功率场效应管(SiC VDMOS)的动态特性进行了相关研究。在比较3种偏置状态下^(60)Coγ射线辐照对于SiC VDMOS器件阈值电压和开关特性影响的基础上,进行了室温退火试验。结果表明,随^(60)Coγ射线辐照剂量的增加,氧化层积累陷阱电荷,导致静态特性中阈值电压降低。同时器件动态特性中开启时间略微缩短,关断时间骤增,开关损耗增大。器件受辐照后耗尽层厚度和阈值电压发生的变化是其开启和关断响应差异性退化的主要原因。

明代甘肃镇卫学论述

明代的卫学是与卫所相匹配的教育机构,在各卫所中普遍存在,用以教化卫所子弟。甘肃镇最早的一所卫学设立于洪武二十八年,大规模建立则在正统年间。通过对甘肃镇各卫学入仕情况进行量化统计,可知卫所儒学的教育差强人意,不过,甘肃镇卫学具有多重作用,除了培养人才、传播文教之外,更重要的是移风易俗,因此,其作用不能单纯地以登科人数来衡量。

情感是阅读教学的磁场——谈现代文阅读教学

语文课堂应成为调动学生情感的磁场。教师倾注感情，披文以人情，情动而辞发，学生方能情动于衷，热情澎湃，整个课堂才能情味浓郁，显现出楚楚动人的形态。

如何防止和消除逆反心理

我是一个学习成绩很好的初中生，也是爸爸妈妈的乖儿子。可是我现在的性格发生了变化，一是不像以前那样爱跟父母在一起交谈，二是听不惯老师和父母的劝导和批评，有时候觉得他们说话特罗嗦，很反感，真想和他们对着干。我知道这样下去不好，但总是改变不过来，我该怎么办?